Тип работы:
 Предмет:
 Язык работы:


КВАНТОВЫЕ ПОПРАВКИ К ПРОВОДИМОСТИ РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ДВУМЕРНЫХ СИСТЕМ

Работа №103466

Тип работы

Авторефераты (РГБ)

Предмет

физика

Объем работы36
Год сдачи2005
Стоимость250 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
53
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Общая характеристика работы
Содержание работы
Заключение
Список публикаций по теме диссертации

Актуальность темы. Бурный интерес к электронным системам с пониженной размерностью связан с последними достижениями микроэлектроники на пути миниатюризации микроэлектронных приборов. Развитие технологических методов, таких как метод молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевой литографии, реализации различных микроэлектронных систем делает возможным изготовление с высокой степенью точности структур типа металл/диэлектрик/полупроводник, различного рода гетеропереходов, сверхрешеток, а также систем квантовых проволок и точек. Возможное применение таких структур для создания новых электронных приборов поддерживает постоянный интерес исследователей к ним. Так, например, на основе квантового эффекта Холла создан эталон электрического сопротивления; на основе квантовых гетероструктур создан полупроводниковый лазер, работающий в голубой области видимого спектра излучений.
Проявление квантовых эффектов в системах с пониженной размерностью делает их привлекательными объектами для фундаментальных исследований. Наиболее исследованными к настоящему времени являются системы двумерных носителей в гетероструктурах, изготовленных на основе широкозонных полупроводников, таких как GaAs, AlGaAs, а также электронный газ в приповерхностных квантовых ямах Si. Связано это, в первую очередь, со значительными успехами в технологии получения высококачественных структур, а также с возможностью применения традиционных экспериментальных методов, таких как гальваномагнитные и оптические исследования, для изучения свойств двумерных систем.
Хотя успехи в понимании физики электронных явлений в двумерных системах велики, до сих пор остаются нерешенные проблемы и возникают новые, которые требуют решения. Казалось бы, еще более чем два десятка лет назад было предсказано, что двумерная система является диэлектриком в том смысле, что ее электропроводность стремится к нулю при стремлении к нулю температуры [1]. В пользу этого говорило огромное количество экспериментальных данных (смотри ссылки в [2, 3]). Одной из причин, приводящих к возникновению такой температурной зависимости, является квантовая природа носителей заряда, приводящая к возникновению так называемых квантовых поправок к Друдевской проводимости. Два механизма приводят к появлению этих поправок: интерференция элек-тронных волн, являющаяся причиной так называемой слабой локализации (сокращенно WL от английского weak localization), и электрон-электронное (е-е) взаимодействие. Оба этих механизма приводят к тому, что электропроводность сильно вырожденного электронного газа становится зависящей от температуры и в достаточно грязных системах уменьшается с падением температуры (диэлектрическое поведение).
В работе [4] при исследовании инверсионных слоев кремния была обнаружена неуниверсальность такого поведения. Проводимость исследованных образцов вплоть до минимально достигнутой в этой работе температуры (T ' 1 К) росла с понижением температуры, то есть демонстрировала металлическое поведение. Интенсивные исследования систем такого типа продолжаются и в настоящее время, и до сих пор нет единого понимания физики такого явления.
Обнаружение новой металлической фазы заставило по-новому посмотреть на казалось бы уже изученные механизмы, ответственные за низкотемпературную зависимость проводимости относительно грязных двумерных систем. Оказывается, что даже в этом случае не все экспериментальные явления могут быть объяснены в рамках существующих теорий квантовых поправок. В рамках традиционных теорий [2], например, не удается объяснить наблюдающееся экспериментально низкотемпературное насыщение времени неупругой релаксации фазы (тф). Совершенно непонятным оказывается разброс параметров, характеризующих квантовые поправки, получаемый при исследовании одинаковыми методами одинаковых систем. Так, константа электрон-электронного взаимодействия, полученная авторами [5] и [6] для одинаковых гетероструктур GaAs/Al^Gа1-жАв, отличается более чем в десять раз. То же самое можно сказать о величине времени релаксации фазы. Согласно теории, она определяется в основном значением проводимости. В этом смысле время сбоя фазы является универсальной величиной, не зависящей от материала, конкретного вида гетероструктуры и т.д. Однако, как показывает анализ литературы, разброс экспериментальных значений составляет более чем порядок при одном значении проводимости (смотри, например, разные образцы в [7]), и как правило эти значения оказываются очень далекими от теоретических. Отсюда ясно, что к моменту начала работы в этой области можно было говорить лишь о имевшемся качественном согласии экспериментальных данных и теоретических предсказаний и то лишь по основным, главным моментам.
Детальное исследование квантовых поправок и процессов, приводящих к сбою фазы, является чрезвычайно актуальным также потому, что позволяет приблизиться к пониманию такой важной проблемы, как смена механизма проводимости в двумерных системах при понижении температуры, увеличении степени беспорядка, роста магнитного поля и так далее. Дело в том, что в двумерном случае относительная величина квантовых поправок заметно больше, чем в трехмерном случае. При этом их абсолютная величина слабо зависит от проводимости, но увеличивается с понижением температуры. Таким образом, при уменьшении проводимости или понижении температуры величина квантовых поправок может стать сравнима с классической проводимостью и, будучи отрицательной, может ее сильно подавить. Как результат, квантовые поправки могут привести к сильной температурной зависимости проводимости, которую можно принять за признак прыжкового механизма. Общепринято считать, что если проводимость двумерной системы становится меньше кванта проводимости е2/к, где е - заряд электрона, к - постоянная Планка, и при этом она сильно зависит от температуры, механизм проводимости является прыжковым. При этом авторы, как правило, не обращают внимания на то, что в этих условиях наблюдаются эффекты, характерные для диффузионного механизма, например, отрицательное магнитосопротивление, близкое по форме к магнитосопротивлению, связанному с подавлением слабой локализации, и эффект Холла, который дает концентрацию носителей.
Чрезвычайно интересными, актуальными и важными являются исследования спин зависимых эффектов. Это связано с перспективами развития новой области микроэлектроники - спинтроники. Сочетание когерентности электронных волн и спиновых свойств приводит к необычному транспорту в двумерных системах, что может лежать в основе различных спиновых приборов. Поэтому необходимо стремиться к количественному пониманию роли различных механизмов спин-орбитального взаимодействия, механизмов, ограничивающих скорость спиновой релаксации, их зависимости от параметров структур и внешних условий.
Цель работы состоит в комплексном систематическом исследовании эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного взаимодействия и их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Целью работы также является выработка и обоснование новых подходов к анализу экспериментальных результатов, позволяющих получить новые знания о свойствах исследуемой системы.
Объекты исследования. В достижении поставленных целей огромную роль сыграла возможность иметь полупроводниковые структуры с наперед заданными свойствами. Это позволило, в первую очередь, получить надежную информацию о квантовых поправках в области высоких значений проводимости, когда поправки действительно малы и должна работать традиционная теория. Лишь после этого стало возможным проследить эволюцию поправок с падением проводимости и ростом беспорядка в системе.
В качестве объектов исследования использованы гетероструктуры ЦаАвДп^га1_жАэ/ СаАн с одиночными и двойными квантовыми ямами, технология выращивания которых в России хорошо отработана.
Методы исследования. Исследовались зависимости проводимости и эффекта Холла от температуры и магнитного поля. Интерпретация результатов проведена с использованием как разработанных ранее, так и оригинальных теоретических моделей. Для надежной интерпретации экспериментальных результатов и получения достоверной информации о свойствах исследованных систем, когда условия эксперимента оказывались вне рамок применимости аналитических выражений, применено компьютерное моделирование. Часть результатов получена с использованием атомно-силовой микроскопии.
Научная новизна. Впервые проведены комплексные систематические исследования квантовых поправок к проводимости в широком интервале проводимости двумерной системы: д ' 1 — 100 (здесь и далее д обозначает проводимость квадрата в единицах в /к, а а - в единицах Ом-1).
Показано, что в двумерных системах с одной заполненной подзоной размерного квантования традиционная теория квантовых поправок количественно описывает низкотемпературные и магнитополевые зависимости компонент тензора проводимости при высокой проводимости системы, д& 5.
Впервые исследована роль легирующих слоев в формировании температурных зависимостей проводимости и скорости релаксации фазы. Обнаружено, что заселение состояний в легирующих слоях приводит к появлению низкотемпературного насыщения времени сбоя фазы и его немонотонной зависимости от проводимости системы.
Предложен и использован на практике новый метод анализа отрицательного магнитосопротивления, вызванного подавлением интерференционной квантовой поправки, основанный на анализе результатов Фурье-преобразования кривых магнитопроводимости и позволяющий экспериментально исследовать статистику замкнутых траекторий в реальных образцах.
Впервые исследован вклад электрон-электронного взаимодействия в низкотемпературную проводимость двумерного электронного газа в системах с контролируемой степенью беспорядка. Обнаружено, что с ростом степени беспорядка поправка Альтшулера-Аронова быстро уменьшается по абсолютному значению, стремясь к нулю. Это приводит к тому, что при низком значении Друдевской проводимости (д0< 2) температурная зависимость проводимости двумерной системы практически полностью определяется интерференционными эффектами.
Впервые исследована интерференционная квантовая поправка в области промежуточной проводимости, соответствующей кроссоверу между режимами сильной (д ^ 1) и слабой (д » 1) локализации. Показано, что учет квантовых поправок высших по 1/д порядков позволяет количественно описать экспериментальные результаты при уменьшении проводимости вплоть до значений д » 1. Показано, что сильный рост проводимости с увеличением температуры и магнитного поля при д » 1 вызван подавлением интерференционной квантовой поправки.
Обнаружено, что экспериментально определяемая величина скорости релаксации фазы в режиме слабого изолятора не совпадает с ее истинным значением - она содержит температурно независимый вклад, величина которого определяется длиной локализации.
При исследования эффектов антилокализации в одиночных квантовых ямах с искусственным градиентом состава в направлении роста и электронной проводимостью обнаружено, что основной вклад в антилокализацию дает эффект Дрессельхауза.
Обнаружено, что основным механизмом, приводящим к спин-орбитальному расщеплению спектра дырок и определяющим антилокализацию в напряженных квантовых ямах ОаАзДиОаАз/ОаАз, является механизм Бычкова-Рашбы.
На защиту выносятся следующие основные положения, результаты и выводы: тополевые зависимости компонент тензора проводимости при высокой проводимости системы, д& 5 (в единиц ах в2/к).
2. Результаты, относящиеся к исследованию роли легирующих слоев в возникновении аномалий в поведении температурных и концентрационных зависимостей времени сбоя фазы и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах.
3. Результаты компьютерного моделирования, позволившие исследовать статистику замкнутых траекторий и выявить основные особенности в поведении температурных и магнитополевых зависимостей интерференционной квантовой поправки, связанные с анизотропией рассеяния, корреляцией в распределении рассеивающих центров, зависимостью скорости релаксации фазы от магнитного поля и наличием макроскопических неоднородностей в системе.
4. Метод анализа отрицательного магнитосопротивления, основанный на анализе результатов Фурье-преобразования кривых магнитопроводимости, позволяющий экспериментально исследовать статистику замкнутых траекторий в реальных образцах. Результаты, полученные этим методом.
5. Результаты исследования влияния электрон-электронного взаимодействия на низко-температурную проводимость двумерного электронного газа в системах с контролируемой степенью беспорядка. Обнаружение быстрого уменьшения поправки Альтшулера-Аронова по абсолютному значению с ростом степени беспорядка. Вывод о том, что при низком значении Друдевской проводимости (до < 2) температурная зависимость проводимости двумерной системы определяется интерференционными эффектами.
6. Результаты экспериментального и теоретического исследования температурных и магнитополевых зависимостей интерференционной квантовой поправки в области промежуточной проводимости, соответствующей кроссоверу между режимами сильной (д ^ 1) и слабой (д » 1) локализации. Вывод о том, что механизм проводимости остается диффузионным вплоть до д » 1, а сильный рост проводимости с увеличением температуры и магнитного поля вызван подавлением интерференционной квантовой поправки, которая при низкой температуре сравнима по абсолютному значению с Друдевской проводимостью.
7. В режиме слабого изолятора экспериментально определяемая величина скорости релаксации фазы не совпадает с ее истинным значением - она содержит независящий от температуры вклад, величина которого определяется длиной локализации. Универсальность основных особенностей интерференционной квантовой поправки, которые определяются только проводимостью системы.
8. Результаты исследования влияния продольного магнитного поля на поперечную положительную магнитопроводимость, связанную с подавлением интерференционной квантовой поправки. Способ экспериментального определения параметров шероховатости стенок квантовой ямы без разрушения гетероструктуры.
9. В одиночных квантовых ямах ОаАзДпОаАз/ОаАз с электронной проводимостью и градиентом состава основной вклад в антилокализацию дает эффект Дрессельхауза. Обнаружение при включении продольного магнитного поля смены характера зависимости проводимости от поперечного магнитного поля с антилокализационного на локализационный, вызванной конкурирующим действием двух механизмов - механизма, обусловленного шероховатостью стенок квантовой ямы, и механизма, связанного с эффектом Зеемана.
10. Особенности спин-зависимых эффектов в системах с дырочным типом проводимости связаны со спецификой спектра вырожденной валентной зоны родительских материалов. Вывод о том, что основным механизмом, приводящим к спин-орбитальному расщеплению спектра дырок и определяющим антилокализацию в напряженных квантовых ямах ОаАзДпОаАз/ОаАз, является механизм Бычкова-Рашбы.
Научная и практическая значимость работы. Проведенные исследования позволили не только качественно, но и количественно понять роль квантовых поправок в формировании низкотемпературных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем с различной степенью беспорядка. Результаты работы позволяют более полно и глубже понять природу смены механизма проводимости от диффузионного к прыжковому с ростом степени беспорядка в системе. Показано, что механизм проводимости является диффузионным, и квантовые поправки определяют температурную зависимость проводимости не только при высоком значении проводимости, g ^ 1, но и в условиях g< 1, при которых согласно общепринятому мнению проводимость должна бы иметь прыжковый характер. Предложенный метод анализа отрицательного магнитосопротивления позволяет исследовать статистику замкнутых траекторий, что позволяет судить о степени неоднородности, анизотропии рассеяния и корреляции в распределении примесей в реальных образцах. Исследования эффектов локализации и антилокализации в наклонных магнитных полях позволяют получить информацию о шероховатостях интерфейсов, формирующих квантовую яму, не прибегая к разрушению образцов. Полученные результаты о зависимости времён спиновой и фазовой релаксации от температуры, проводимости и концентрации носителей заряда являются важными при разработке приборов спинтроники и наноэлектроники.
Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, девяти глав, заключения и трех приложений. Общий объем составляет 329 страниц, включая 118 рисунков, 9 таблиц и список литературы из 264 наименований.
Апробация работы. Основные результаты докладывались на Российских конференциях по физике полупроводников (Новосибирск - 1999, Нижний Новгород - 2001, Санкт- Петербург - 2003), Ежегодных совещаниях “Нанофотоника” (Нижний Новгород - 2000, 2003, 2004), Симпозиуме “Нанофизика и наноэлектроника ” (Нижний Новгород - 2005), Уральских международных школах по физике полупроводников (Екатеринбург - 2002, Кыштым - 2004), Международных симпозиумах “Наноструктуры: физика и технология” (Санкт-Петербург, 1998 - 2005 гг.), Международных конференциях по физике полупроводников (Япония - 2000, Шотландия - 2002, Аризона - 2004), Международных конференциях по применению сильных магнитных полей в физике полупроводников (Великобритания - 2002, Флорида - 2004), Международных симпозиумах “Квантовый эффект Холла” и “Наследие Рентгена” (ФРГ - 2001), Международных конференциях по прыжковой проводимости (Израиль - 2001, Италия - 2003), Международной конференции по физике низкоразмерных систем (Япония - 2003).
Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 56 работах, список которых приведен в конце автореферата.
Основу диссертации составили результаты исследований, проведенных в НИИ физики и прикладной математики и на кафедре компьютерной физики Уральского государственного университета имени А. М. Горького в период с 1997 г. по 2005 г. в соответствии с тематическим планом (регистрационный номер НИР 2.67.01). Работа выполнена при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (гранты 97-02-16168, 98-02-16624, 98-02-17286, 99-02-17110, 00-02-16215, 01-02-16441, 01-02-17003, 03-02-16150 и 04-02-16626), программ Физика твердотельных наноструктур (грант 97-1091) и Университеты России (гранты 420, 990409, 990425 и УР-06.01.002), INTAS (гранты 97-1342 и 1В290), CRDF (REC-001, REC-005, гранты ЕК-005-Х1 и Y1-P-05-11).


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!
ДИПЛОМНЫЕ МАГИСТЕРСКИЕ ДИССЕРТАЦИИ
КУРСОВЫЕ СТАТЬИ ВКР

В заключении приведены основные выводы и результаты работы:
1. Показано, что в гетероструктурах с одиночной квантовой ямой и одной заполненной подзоной размерного квантования традиционная теория квантовых поправок количественно описывает температурные и магнитополевые зависимости компонент тензора проводимости при высокой проводимости системы, д& 5 (в единиц ах в2/к).
2. Обнаружено, что появление электронов в легирующих слоях является причиной возникновения аномалий в поведении экспериментально измеряемых физических величин. Показано, что заселение слоев приводит к появлению температурно зависимого беспорядка в системе и, как следствие, появлению температурной зависимости подвижности электронов. Установлено, что игнорирование этого эффекта при анализе квантовых поправок приводит к сильной переоценке вклада электрон-электронного взаимодействия. Обнаружено, что заселение состояний в легирующих слоях приводит к появлению низкотемпературного насыщения времени сбоя фазы и его немонотонной зависимости от проводимости системы. Показано, что причиной таких аномалий являются переходы электрона из состояний квантовой ямы в состояния сильно неупорядоченных легирующих слоев.
3. Исследования с применением компьютерного моделирования статистики замкнутых траекторий носителей заряда позволили выявить основные особенности в поведении температурных и магнитополевых зависимостей интерференционной квантовой поправки, связанные с анизотропией рассеяния, корреляцией в распределении рассеивающих центров, зависимостью скорости релаксации фазы от магнитного поля и наличием макроскопических неоднородностей в системе.
4. Предложен и использован на практике новый метод анализа отрицательного магнитосопротивления, вызванного подавлением интерференционной квантовой поправки, основанный на анализе результатов Фурье-преобразования кривых магнитопроводимости и позволяющий экспериментально исследовать статистику замкнутых траекторий в реальных образцах. Использование данного метода позволило понять природу продольного отрицательного магнитосопротивления в гетероструктурах с двумя квантовыми ямами. Показано, что оно вызвано подавлением интерференционной квантовой поправки и связано с переходами электрона между ямами.
5. Исследования влияния электрон-электронного взаимодействия на низкотемпературную проводимость двумерного электронного газа в системах с контролируемой степенью беспорядка показали, что с ростом беспорядка поправка Альтшулера-Аронова быстро уменьшается по абсолютному значению, стремясь к нулю. Последнее приводит к тому, что при низком значении Друдевской проводимости (д0< 2) температурная зависимость проводимости двумерной системы практически полностью определяется интерференционными эффектами.
6. Впервые исследована температурная и магнитополевая зависимости интерференционной квантовой поправки в области промежуточной проводимости, соответствующей кроссоверу между режимами сильной (д ^ 1) и слабой (д » 1) локализации. Показано, что учет квантовых поправок высших по 1/д порядков позволяет количественно описать экспериментальные результаты при уменьшении проводимости вплоть до значений д » 1. Это бесспорно говорит о том, что механизм проводимости остается диффузионным вплоть до д » 1, а сильный рост проводимости с увеличением температуры и магнитного поля вызван подавлением интерференционной квантовой поправки, которая при низкой температуре сравнима по абсолютному значению с Друдевской проводимостью.
7. Исследования проводимости в режиме слабого изолятора показали, что экспериментально определяемая величина скорости релаксации фазы не совпадает с её истинным значением - она содержит температурно независимый вклад, величина которого определяется длиной локализации. В работе показано, что основные особенности интерференционной квантовой поправки являются универсальными и определяются только проводимостью системы.
8. Экспериментально исследовано влияние продольного магнитного поля на поперечную положительную магнитопроводимость, связанную с подавлением интерференционной квантовой поправки. Обнаружено, что характер этого влияния в существенной степени зависит от соотношения между средней длиной свободного пробега и характерным латеральным размером шероховатости интерфейсов, формирующих квантовую яму. Показано, что исследования слабой локализации в наклонном магнитном поле являются инструментом, позволяющим неразрушающим способом экспериментально определить параметры шероховатости стенок квантовой ямы.
9. Исследования эффектов антилокализации в одиночных квантовых ямах СаАвДщ Са1_жАб/ ОЛк с электронной проводимостью показали, что основной вклад в антилокализацию дает эффект Дрессельхауза. Обнаружено, что включение продольного магнитного поля изменяет характер зависимости проводимости от поперечного магнитного поля с антилокализационного на локализационный. Показано, что это является следствием конкурирующего действия двух механизмов - механизма, вызванного шероховатостью стенок квантовой ямы, и механизма, связанного с эффектом Зеемана.
10. Исследования квантовых ям дырочного типа проводимости показали, что особенности спин-зависимых эффектов в этих системах связаны со спецификой спектра вырожденной валентной зоны родительских материалов. Обнаружено, что основным механизмом, приводящим к спин-орбитальному расщеплению спектра дырок и определяющим антилокализацию в напряженных квантовых ямах ОаАбДщОа1_жАб/ОаА8, является механизм Бычкова-Рашбы. Показано, что в отличие от электронного спектра, в котором этот механизм приводит к линейному по квазиимпульсу расщеплению спектра, расщепление дырочного спектра пропорционально третьей степени квазиимпульса. Установлено, что величина расщепления в существенной степени определяется тремя факторами - концентрацией дырок, формой квантовой ямы и величиной механических напряжений в слое, формирующем квантовую яму.



1. Г. М. Миньков, С. А. Негашев, О. Э. Рут, А. В. Германенко, В. В. Валяев, В. Л. Гуртовой. Слабая локализация и межподзонные переходы, в ±-легированном СаАз// ФТП. - 1998. - Т. 32. - N. 12. - С. 1456 - 1460.
2. Г. М. Миньков, С. А. Негашев, О. Э. Рут, А. В. Германенко, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, В. М. Данильцев. Новым подход к анализу ОМС в 2И структурах /) ФТП. - 1999. - Т. 33. - N. 8. - С. 986 - 989.
3. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, A. V. Larionova, S. A. Negashev, I. V. Gornyi. Analysis of negative magnetoresistance: statistics of clothed paths. I. Theory// Phys. Rev. B. -2000.
- V. 61. - N. 19. - P. 13164 - 13171.
4. G. M. Minkov, S. A. Negashev, О. E. Rut, A. V. Germanenko, О. I. Khrykin, V. I. Shashkin, V. M. Danil’tsev. Analysis of negative magnetoresistance: statistics of clothed paths. II. Experiment// Phys. Rev. B. - 2000. - V. 61. - N. 19. - P. 13172 - 13176.
5. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, О. I. Khrykin, V. I. Shashkin, V. M. Daniltsev. Interwell transitions and negative magnetoresistance in double quantum well geterostructures//Nanotechnology. - 2000. - V. 11. - N. 4. - P. 406 - 410.
6. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, V. M. Daniltsev. Low-field negative magnetoresistance in double layer structures// Phys. Rev. B.
- 2000. - V. 62. - N. 24. - P. 17089 - 17093.
7. G. M. Minkov, О. E. Rut, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, V. M.Daniltsev. Quantum corrections to conductivity in two dimenshional systems: Agreement between theory and experiment// Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - N. 23. - P. 235327 (1 - 7).
8. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O.E.Rut. Weak localization in macroscopically inhomo-geneous two-dimensional systems: a simulation approach//Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64.
- N. 16. - P. 165404 (1 - 5).
9. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O.E. Rut. Simulation approach to weak localization in inhomogeneous two-dimensional systems and diffusive constrictions// Nanotechnology. - 2001. - V. 12. - N. 4. - P. 614 - 618.
10. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A.A. Birukov. Role of doped layers in the dephasing of two-dimensional electrons in quantum-well structures// Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - N. 19. - P. 193309 (1 - 4).
11. G. M. Minkov, О. E. Rut, A. V. Germanenko, A. A.Sherstobitov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A. A. Birukov. Quantum corrections to conductivity: from weak to strong localiza¬tion// Phys. Rev. B. - 2002. - V. 65. - N. 23. - P. 235322 (1 - 8).
12. G. M. Minkov, О. E. Rut, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, B. N. Zvonkov. Electron-electron interaction with decreasing conductance//Phys. Rev. B. - 2003. - V. 67. - N. 20. - P. 205306 (1 - 8).
13. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov. Antilo-calization in gated 2d quantum well structures with composition gradient //International Journal of Nanoscience. - 2003. - V. 2. - N. 6. - P. 543 - 549.
14. А. В. Германенко, Г. M. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, И. В. Горный, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, Б. Н. Звонков. Релаксация фазы с ростом беспорядка в структурах GaAs-InGsAs// Известия Академии Наук. Серия физическая. - 2004. - Т. 68. - С. 61 - 64.
15. G. М. Minkov, О. Е. Rut, А. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, В. N. Zvonkov, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, D. О. Filatov Transverse negative magnetoresistance of two¬dimensional structures in the presence of a strong in-plane magnetic field: Weak localization as a probe of interface roughness// Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - N. 3. - P. 035304 (1-8).
16. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, L. E. Golub, B. N. Zvonkov, M.Willander. Weak, antilocalization in quantum wells in tilted magnetic fields// Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - N. 15. - P. 155323 (1 - 7).
17. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, I. V. Gornyi. Magnetoresistance and dephasing in a two-dimensional electron gas at intermediate conductances / /Phys. Rev. B. - 2004. - V. 70. - N. 24. - P. 245423 (1 - 24).
18. G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, V. A. Larionova, B. N. Zvonkov. Antilocalization and spin-orbit coupling in hole strained GaAs/ InGaAs/ GaAs quantum well heterostructures// Phys. Rev. B. - 2005. - V. 71. - P. 165312 (1 - 7).
19. А. В. Германенко, Г. M. Миньков, О. Э. Рут, В. А. Ларионова, Б. Н. Звонков, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, Д. О. Филатов. Влияние шероховатости двумерных гете-роструктур на слабую локализацию// ФТТ. - 2005. - Т. 47. - N. 1. - С. 128 - 135.
20. G. М. Minkov, S. A. Negashev, О. Е. Rut, А. V. Germanenko. Weak localization and intersubbands transitionsin 5-doped GaAs// Proceedings of 6th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 23 - 26, 1998), - P. 135.
21. A. V. Germanenko, A. V. Larionova, G. M. Minkov, S. A. Negashev. Anomalous magneto-conductance due to weak localization in 2D systems with anisotropic scattering: computer simulation//Proceedings of 7th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg, June 14 - 18, 1999), - P. 190 - 193.
22. Г. M. Миньков, С. А. Негашев, О. Э. Рут, А. В. Германенко, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, В. М. Данильцев. Новый подход к анализу отрицательного магнитосопротивления в 2D системах// IV Российской конференции по физике полупроводников. Тезисы докладов (Новосибирск, 25 - 29 октября, 1999), - С. 173.
23. А. В. Германенко, В. А. Ларионова, Г. М. Миньков, С. А. Негашев. Квантовых интер-ференционные поправки к проводимости 2D систем,. Результаты, численного моделирования/ / IV Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов (Новосибирск, 25 - 29 октября, 1999), - С. 202.
24. А. В. Германенко, Г. М. Миньков, С. А. Негашев, О. Э. Рут, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, В. М. Данильцев. Характеризация 5-легированных слоев GaAs с использованием сильных магнитных полей// Нанофотоника. Материалы совещания (Нижний Новгород, 20 - 23 марта, 2000), - С. 78 - 79.
25. G. М. Minkov, А. V. Germanenko, O.E.Rut, О. I. Khrykin, V. I. Shashkin, V. M. Daniltsev. Weak localization in double layer structure//Proceedings of 25th International Conference on Physics of Semiconductor (Osaka, Japan, September 18 - 22, 2000), - P. 816.
26. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, О. I. Khrykin, V. I. Shashkin, V. M. Danil’tsev. Low field negative magnetoresistance in double layer structures //Proceedings of 8th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg, June 17 - 21, 2000), - P. 66 - 69.
27. Г. M. Миньков, А. В. Германенко, О. Э. Рут. Квантовых поправки к проводимости в 2D: от слабой к сильной локализации// V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. (Нижний Новгород, 10 - 14 сентября, 2001), - С. 296.
28. А. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut. Simulation approach to weak localization in inhomogeneous two-dimensional systems// Proceedings of 9th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg, June 18 - 22, 2001), - P. 594 - 597.
29. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A.A. Birukov. The role of doped layers in the dephasing of two-dimensional electrons in quantum-well structures//Proceedings of 9th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg, June 18 - 22, 2001), - P. 598 - 600.
30. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. V. Germanenko. Quantum corrections to the conductivity in 2D: from weak to strong localization//9th International Conference “Hopping and related phenomena” (Shefayim, Israel, September 3 - 6, 2001), - P. 53.
31. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. V. Germanenko. Quantum corrections to conductivity in 2D: from weak to strong localization//International Symposia “Quantum Hall Effect and Heterostructures” and “Röntgen’s Heritage”. Abstracts. (Würzburg, Germany, December 10 - 15, 2001), - P. 19.
32. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. V. Germanenko, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A. A. Birukov. Role of doped layers in phase relaxation of carriers in quantum well//International Sympo¬sia “Quantum Hall Effect and Heterostructures” and “Röntgen’s Heritage”. Abstracts. (Würzburg, Germany, December 10 - 15, 2001), - P. 37.
33. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A.Sherstobitov, E. A. Uskova B. N. Zvon¬kov, A. A. Birukov. The conductivity of disordered 2D systems: from weak to strong localization// XIV Уральская международная зимняя школа по физике полупровод¬ников. Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур (Екатеринбург, 18 - 22 февраля, 2002), - Р. 18.
34. G. М. Minkov, А. V. Germanenko, О. Е. Rut, A. A. Sherstobitov, В. N. Zvonkov, Е. А. Uskova, A. A. Birukov. The conductivity of disordered 2D systems: from weak to strong localization//Proceedings of 10th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 17- 21, 2002), - P. 538 - 541.
35. A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, B. N. Zvonkov. Electron-electron interaction in 2D systems with lowering conductivity//Proce¬edings of 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St. Petersburg, June 23 - 28, 2003), - P. 253 - 255.
36. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov Antiloca-lization and Rashba spin-orbit coupling in the gated 2D quantum well structures with the composition gradient //Proceedings of 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 23 - 28, 2003), - P. 279 - 280.
37. O. E. Rut, G. M. Minkov, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, I. V. Gornyi, V. I. Shashkin, О. I. Khrykin, B. N. Zvonkov. Interference correction and dephasing at increasing disorder// Proceedings of 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 23 - 28, 2003), - P. 407 - 409.
38. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A. A. Birukov. The conductivity of disordered 2D systems: from weak to strong localization//Proceedings of 26th International Conference on the Physics of Semicondu¬ctors. Part 3 (Edinburgh, Scotland, July 29 - August 2, 2002), - P. 221.
39. А. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, В. N. Zvonkov, E. A. Uskova, A. A. Birukov. Role of doped layers in phase relaxation of carriers in quantum well// Proceedings of 26th International Conference on the Physics of Semiconductors. Part 1 (Edinburgh, Scotland, July 29 - August 2, 2002), - P. 142.
40. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov. Weak Localization in a Magnetic Field: The Role of Scattering Anisotropy and Correlation in Impurity Distribution// Proce¬edings 15th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Abstracts Book (Oxford, UK, August 5 - 9, 2002), - P. 162.
41. А. В. Германенко, Г. M. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, И. В. Горный, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, Б. Н. Звонков. Дефазинг с ростом беспорядка в структурах GaAs/InGaAs// Нанофотоника. Материалы совещания (Нижний Новгород, 17 - 20 марта, 2003), - С. 371 - 374.
42. А. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, I. V. Gornyi. Interference correction and dephasing at increasing disorder// The 15th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. EP2DS-15. Conference Workbook. (Nara, Japan, July 14 - July 18, 2003), - P. 346.
43. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov. Effect of strong in-plane magnetic field on negative magnetoresistance in 2D at low perpendicular magnetic field// The 15th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. EP2DS-15. Conference Workbook. (Nara, Japan, July 14 - July 18, 2003), - P. 358.
44. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov. Is the conductivity of 2D systems hopping at a < e2/h?//Abstracts of 10th International Conference “Hopping and related phenomena” (Trieste, Italy, September 1 - 4, 2003), - P. 47.
45. А. В. Германенко, О. Э. Рут, Г. М. Миньков, А. А. Шерстобитов, Б. Н. Звонков. А где же вклад расщепления Рашбы в слабую локализацию?// VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. (Санкт-Петербург, 27 - 31 октября, 2003), - С. 84.
46. Г. М. Миньков, А. В. Германенко, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, Б. Н. Звонков. Приводит ли Андерсеновская локализация в 2D к прыжковой проводимости?// VI Россий¬ская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. (Санкт-Петербург, 27 - 31 октября, 2003), - С. 89.
47. Г. М. Миньков, А. В. Германенко, А. А. Шерстобитов, О. Э. Рут, Б. Н. Звонков. Влияние неплоскостности 2D структуры на слабую локализацию// VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. (Санкт-Петербург, 27 - 31 октября, 2003), - С. 330.
48. А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, И. В. Горный. Дефазинг в квантовых ям,ах GaAs/InGaAs/GaAs // VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. (Санкт-Петербург, 27 - 31 октября, 2003), - С. 333.
49. А. В. Германенко, О. Э. Рут, Г. М. Миньков, А. А. Шерстобитов Антилокализация в квантовых ямах GaAs/InGaAs/GaAs // XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверх-проводниковых структур (Екатеринбург - Кыштым, 16 - 21 февраля, 2004), - Р. 85.
50. А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, В. А. Ларионова, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, Б. Н. Звонков Влияние неплоскостности 2D структуры на слабую локализацию// Нанофотоника. Материалы совещания (Нижний Новгород, 2-6 мая, 2004),-С. 353.
51. А. V. Germanenko, G. М. Minkov, A. A. Sherstobitov, О. Е. Rut, V. A. Larionova, В. N. Zvonkov, V. I. Shashakin, О. I. Khrykin, D. О. Filatov. Weak localization as a probe of onterface roughness in two-dimensional structures//Proceedings of 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 21 - 25, 2004),
- P. 142 - 143.
52. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, V. A. Larionova, B. N. Zvonkov. Antilocalization and spin-orbit coupling in hole strained GaAs/InGaAs/ GaAs quantum well heterostructures//Proceedings of 12th International Symposium “Nanostru¬ctures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 21 - 25, 2004), - P. 282 - 283.
53. Alexander Germanenko, Grigori Minkov, Andrey Sherstobitov, Olga Rut, Viola Larionova. Weak localization as a probe of interface roughness in two-dimensional structures //Proce-edings of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors. Part 3 (Flagstaff, Arizona, July 26 - 30, 2004), - P. Q5.185.
54. A. V. Germanenko, G. M. Minkov, О. E. Rut, A. A. Sherstobitov, V. A. Larionova. Antilocalization and spin-orbit coupling in 2DHG in strained GaAs/InGaAs/GaAs quantum well heterostructures// Proceedings 16th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Abstracts Book (Tallahassee, Florida, August 2 - 6, 2004), - P. ThP7.
55. А. В. Германенко, О. Э. Рут, В. А. Ларионова, Г. М. Миньков, А. А. Шерстобитов, Б. Н. Звонков. Антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в напряженных квантовых ям,ах InAs/InGaAs/GaAs р-типа// Нанофизика и наноэлектроника. Материалы Симпуозиума (Нижний Новгород, 25 - 29 марта, 2005), - Р. 344 - 345.
56. А. V. Germanenko, I. V. Gornyi, G. М. Minkov, V. A. Larionova Dephasing in presence of a magnetic field//Proceedings of 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” (St.Petersburg, June 20 - 25, 2005), - P. 189 - 190.
Список литературы
[1] E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello, T. V. Ramakrishnan. Scaling Theory of Localization: Absence of Quantum Diffusion in Two Dimensions//Phys. Rev. Lett. - 1979.
- V. 42. - N. 10. - P. 673 - 676.
[2] B. L. Altshuler, A. G. Aronov. Electron-electron interaction in disordered conductors, in Electron-Electron Interaction in Disordered Systems, Edited by A. L. Efros and M. Pollak (North Holland, Amsterdam) 1985. - P. 1 - 153.
[3] P. A. Lee, T. V. Ramakrishnan. Disordered Electronic Systems// Rev. Mod. Phys. - 1985.
- V. 57. - N. 2. - P. 287 - 337.
[4] К. M. Cham, R. G. Wheeler Temperature-Dependent Resistivities in Silicon Inversion Layers at Low Temperatures// Phys. Rev. Lett. - 1980. - V. 44. - N. 22. - P. 1472 - 1475.
[5] В. J. F. Lin, M. A. Paalanen, A. C. Gossard, D. C. Tsui. Weak localization of two¬dimensional electrons in GaAs-AlxGai-xAs heterostructures// Phys. Rev. B. - 1984. - V. 29. - N. 2. - P. 927 - 934.
[6] W. Poirier, D. Mailly, M. Sanquer. Electron-electron interaction in doped GaAs at high magnetic field//Phys. Rev. B. - 1998. - V. 57. - N. 7. - P. 3710 - 3713.
[7] W. Knap, A. Zduniak, L. H. Dmowski, S. Contreras, M. I. Dyakonov. Study of transport, phase, and spin relaxation times of 2D electrons by means of pressure//Phys. Stat. Sol. (b). - 1996. - V. 198. - P. 267 - 281.
[8] Gabor Zala, B. N. Narozhny, I. L. Aleiner. Interaction corrections at intermediate temperatures: Longitudinal conductivity and kinetic equation// Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - N. 21. - P. 214204 (1 - 31).
[9] S. Hikami, A. I. Larkin, Y. Nagaoka. Spin-orbit interaction and magnetoresistance in the two dimensional random system// Progress of Theoretical Physics. - 1980. - V. 63. - P. 707 - 710.
[10] H.-P. Wittmann, A. Schmid. Anomalous magnetoconductance beyond the diffusion limit// Journal of Low Temperature Physics. - 1987. - V. 69. - P. 131 - 149.
[11] I. L. Aleiner, B. L. Altshuler, M. E.Gershenzon. Interaction effects and phase relaxation in disordered systems// Waves in Random Media. - 1999. - V. 9. - P. 201 - 240.
[12] D. S. Golubev, A. D. Zaikin. Quantum Decoherence in Disordered Mesoscopic Systems// Phys. Rev. Lett. - 1998. - V. 81. - N. 5. - P. 1074 - 1077.
[13] Л. П. Горьков, А. И. Ларкин, Д. E. Хмельницкий. Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале// Письма ЖЭТФ. - 1979. - Т. 30. - N. 4. - С. 248 - 253.
[14] А. Р. Dmitriev, V. Yu. Kachorovskii, I. V. Gornyi. Nonbackscattering contribution to weak localization// Phys. Rev. B. - 1997. - V. 56. - N. 15. - P. 9910 - 9917.
[15] I. V. Lerner, Y. bury. Europhys. Lett. - 1995. - V. 29. - P. 49.
[16] S. Hikami. Anderson localization in a nonlinear a-model representation//Phys. Rev. B. - 1981. - V. 24. - N. 5. - P. 2671 - 2679.
[17] B. N. Narozhny, Gabor Zala, I. L. Aleiner. Interaction corrections at intermediate temperatures: Dephasing time// Phys. Rev. B. - 2002. - V. 65 . - N. 18. - P. 180202(R) (1-4).
[18] И. В. Горный, А. Г. Грошев, С. Г. Новокшонов. Комментарий к статье А. Г. Грошева, С. Г. Новокшонова “Отрицательное магнитосопротивление и коэффициент Холла двумерной неупорядоченной системы”// ФТТ. - 2001. - Т. 43. - N. 4. - С. 766.
[19] A. G. Malshukov, К. A. Chao, М. Willander. Magnetoresistance of a weakly disordered III¬V semiconductor quantum well in a magnetic field parallel to interfaces//Phys. Rev. B. - 1997. - V. 56. - N. 11. - P. 6436 - 6439.
[20] H. Mathur, Harold U. Baranger. Random Berry phase magnetoresistance as a probe of interface roughness in Si MOSFET’s// Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64. - N. 23. - P. 235325 (1 - 20).
[21] S. V. lordanskii, Yu. B. Lyanda-Geller, G. E. Pikus. Weak localization in quantum wells with spin-orbit interaction// Письма в ЖЭТФ. - 1994. - T. 60 . - N. 3. - С. 199 - 203.
[22] М. И. Дьяконов, В. И. Перель. О спиновой ориентации электронов при межзонном
поглощении света в полупроводниках// ЖЭТФ. - 1971. - Т. 60. - С. 1954 - 1965.
[23] М. И. Дьконов, В. Ю. Качоровский. Спиновая релаксация двумерных электронов в нецентральносимметричных полупроводниках// ФТП. - 1986. - Т. 20. - С. 110 - 112.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ
.