Актуальность темы. Повышенный интерес к низкоразмерным системам связан с развитием микроэлектроники. Использование свойств низкоразмерных систем позволяет создавать на их основе новые приборы. Примером может служить полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, в котором проводящий двумерный слой и примесь разделены барьером, или светоизлучающие приборы с квантовыми точками. Большую роль в развитии физики низкоразмерных систем сыграло развитие технологии, в особенности методов молекулярно-лучевой эпитаксии. Применение этих методов позволяет конструировать структуры с новыми свойствами. Для получения требуемых свойств необходимо глубокое понимание физики низко-размерных систем, которое может быть достигнуто только благодаря проведению тщательной исследовательской работы.
В низкоразмерных системах движение носителей тока ограничено в одном или нескольких направлениях, что в первую очередь приводит к размерному квантованию, т.е. к изменению энергетического спектра носителей тока. Такое изменение спектра приводит к возникновению новых эффектов (например, целочисленного и дробного квантового эффекта Холла) и существенно меняет известные эффекты, в том числе квантовые поправки к проводимости. Так, если в трехмерном (30) случае при Т=0 квантовые поправки дают лишь малую добавку к проводимости, то в двумерном (20) случае они расходятся при Т 0. При конечной температуре относительная величина квантовых поправок в 20 структурах заметно больше, чем в 30, так что при не очень большой величине друдевской проводимости они могут стать и сравнимы с ней. В результате квантовые поправки могут привести к сильной температурной зависимости проводимости, которую ошибочно можно принять за признак перехода к прыжковому механизму проводимости.
Общепринято, что если проводимость двумерной системы СУ становится меньше кванта проводимости е2/И (е- заряд электрона, И- постоянная Планка) и наблюдается сильная температурная зависимость проводимости, механизм проводимости является прыжковым. Именно этот критерий используется в большом числе работ для определения механизма проводимости. Однако для 20 структур он не кажется бес-спорным. В этих условиях обычно наблюдаются эффекты характерные для диффузионного механизма проводимости: отрицательное магнитосопротивление близкое по форме к отрицательному магнитосопротивлению, связанному с подавлением слабой локализации; эффект Холла, который дает правильную концентрацию носителей.
Таким образом, вопрос о механизме проводимости двумерных систем при величине низкотемпературной проводимости порядка и меньше е2/И остается актуальным до настоящего времени. Он представляет большой интерес не только с точки зрения проблем Андерсоновской локализации, но и с точки зрения понимания «металлического» поведения проводимости, обнаруженного в некоторых 20 системах [1].
Представляется, что для надежной интерпретации механизма низкотемпературной проводимости в 20 системах при значениях с <е И необходимо анализировать не только температурную зависимость проводимости, но и гальваномагнитные эффекты: магнитосопротивление и эффект Холла. Существенно расширяют понимание условий, при которых происходит переход от диффузионной к прыжковой проводимости, и исследования неомической проводимости. Это связано с тем, что механизмы возникновения нелинейности в двух этих режимах качественно отличны. Так при диффузионной проводимости неомичность в наших условиях связана только с разогревом электронного газа, в то время как при прыжковой проводимости появляются дополнительные механизмы нелинейности, связанные с изменением вероятности прыжков в сильном электрическом поле и ударной ионизацией.
Цель настоящей работы заключается в следующем:
• Исследовать квантовые поправки к проводимости двумерных структур на основе ОаА. Определить область проводимостей, в которой теория квантовых поправок количественно согласуется с экспериментальными данными. Исследовать поведение интерференционной поправки при уменьшении проводимости.
• Исследовать разогрев двумерного электронного газа при диффузионном механизме проводимости в двумерных структурах на основе ОаА. Определить основные механизмы релаксации энергии.
• Исследовать неомическую проводимость двумерного электронного газа в сильных электрических полях в широком диапазоне проводимостей от а^е2 И до (5<<е2/Ь. Определить диапазон проводимостей, в котором происходит переход от диффузионной к прыжковой проводимости.
Научная новизна работы.
• Впервые на хорошо аттестованных образцах проведен подробный анализ интерференционной поправки к проводимости в широком диапазоне проводимостей, начиная со значений низкотемпературной проводимости много больше е2/Ь до проводимости много меньше е2 11.
• Предложен метод анализа неомической проводимости, позволяющий отличить проводимость по делокализованным состояниям от проводимости по локализованным состояниям.
• Впервые для исследования перехода от слабой к сильной локализации в двумерных системах использован анализ производной скорости релаксации энергии по температуре электронной системы.
Практическая значимость проведенных исследований состоит в том, что они дают более ясную картину перехода от слабой к сильной локализации в двумерных системах. Предложен метод анализа неомической проводимости, который позволяет надежно различать проводимость по делокализованным состояниям от прыжковой проводимости.
Основные положения, выносимые на защиту:
• В диапазоне изменения проводимости от 3 е2 11 до 30е2 Л магнитосопротивление и температурная зависимость проводимости количественно описываются теорией квантовых поправок, учитывающей лишь первый член разложения по О0/а (О0=е2/лЬ). Учет следующего члена разложения по Оса дает количественное согласие с экспериментальными результатами в интервале проводимостей (0.5 - 3) e2/h.
• Качественное согласие магнитополевых и температурных зависимостей проводимости с теорией квантовых поправок наблюдается вплоть до значения проводимости 10-2e2/h.Во всем диапазоне изменения низкотемпературной проводимости (10-2 - 30)e2/hмеханизм проводимости не меняется и проводимость осуществляется по делокализованным состояниям.
• Основным механизмом релаксации энергии в исследованном диапазоне температур и концентраций является взаимодействие с акустическими фононами как через деформационный, так и через пьезоэлектрический потенциалы.
• Анализ производной скорости релаксации энергии по температуре электронной системы позволяет отличить проводимость по делокализованным состояниям от проводимости по локализованным состояниям. Такие исследования показывают, что вплоть до значений низкотемпературной проводи-мости (10-2-10-1) e2/hпроводимость идет по делокализованным состояниям.
Апробация работы. Результаты работы докладывались на семинарах лаборатории полупроводников и полуметаллов ИФМ УРО РАН, Зимних школах ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 10-й Уральской международной зимней школе по физике полупроводников (Курган 2004), 6-й Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург 2003), 10-й Международной конференции по прыжковой проводимости и связанным с ней явлениям (HRP10, Trieste 2003)
Публикации.
По результатам проведенных исследований опубликовано 8 научных работ, список которых приведен в конце автореферата.
Структура и объем диссертации. Диссертация содержит 5 глав, введение и заключение. Объем диссертации составляет 126 страниц, включая 62 рисунка и 4 таблицы. Список литературы содержит 84 наименования.
В Заключении сформулированы основные результаты работы:
1. Проведены экспериментальные исследования кинетических явлений в структурах ОаЛз/ХпОаЛз/ОаЛз с двумерным электронным газом в широком диапазоне проводимостей как выше, так и ниже е2 11.
2. Показано, что в диапазоне изменения проводимости (10-2-30)е2/Л температурная зависимость с и слабополевое магнитосопртивление определяется квантовыми поправками к проводимости. Таким образом, проводимость во всем этом диапазоне может быть адекватно интерпретирована в рамках модели проводимости по делокализованным состояниям.
3. Показано, что экспериментальная зависимость скорости релаксации энергии от температуры электронного газа, температуры решетки и от концентрации электронов в диапазоне температур (0.4-5)K и концентрации (1.5-6)х1015м-2 количественно описывается теорией релаксации энергии при учете взаимодействия с деформационным и пьезоэлектрическими потенциалами акустических фононов.
4. Проведен анализ неомической проводимости в диапазоне проводимостей (10-4-30)e2/h. Показано, что производные скорости релаксации энергии по температуре электронов, измеренные при различных температурах решетки, ложатся на одну кривую вплоть до значений низкотемпературной проводимости порядка 10-2e2/h.Таким образом механизм проводимости не меняется до величин низко-температурной проводимости порядка 10-2e2/h.Этот вывод согласуется с результатами исследования квантовых поправок в этом диапазоне.
5. Показано, что расхождение зависимостей dP/dTe (Te),определенных из измерений неомической проводимости при различных температурах решетки, наблюдаемое при значениях низкотемпературной проводимости меньше 10~3e2/h,может быть связано либо с переходом к прыжковой проводимости по локализованным со-стояниям, либо с появлением крупномасштабных неоднородностей в образце.
A1. G. M. Minkov, O. E. Rut, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, V. I. Shashkin, O.
I. Khrykin, and V. M. Daniltsev, Quantum corrections to the conductivity in two-dimensional systems: Agreement between theory and experiment //Phys. Rev. B 64, 235327-235333 (2001).
A2. G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova and A.A. Birukov Quantum Corrections to Conductivity: From Weak to Strong Localization // Phys. Rev. B 65, 235322-235330 (2002)
A3. A.A Шерстобитов, Г.М. Миньков, А.В. Германенко, О.Э. Рут, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А. А. Бирюков Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в срукткрах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом // ФТП 37, 730-734 (2003)
A4. G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, B.N. Zvonkov. Nonohmic conductivity at crossover from weak to strong localization in two¬dimensional systems // 10th Conference on Hopping and Related Phenomena. Trieste, Italy Abstr. p. 94 (2003)
A5. G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, B.N. Zvonkov. Is the conductivity of 2D systems hopping at c < e2/h // 10th Conference on Hopping and Related Phenomena. Trieste, Italy Abstr. p.14 (2003)
A6. A.A Шерстобитов, Г.М. Миньков, А.В. Германенко, О.Э. Рут, Б.Н. Звонков, А.А. Бирюков, Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs/InGaAs c двумерным электронным газом. // VI Российская конференция по физике полупроводников, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Санкт-Петербург, Сборник докладов. стр. 340-342. 2003 г.
A7. Г.М. Миньков, А.В. Германенко, О.Э. Рут, A.A Шерстобитов, Б.Н. Звонков, Приводит ли Андерсоновская локализация в 2D к прыжковой проводимости? // VI Российская конференция по физике полупроводников, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Санкт-Петербург, Сборник докладов. стр. 89-90. 2003 г.
A8. Г.М. Миньков, А.В. Германенко, О.Э. Рут, A.A Шерстобитов, Б.Н. Звонков, Разогрев 2D электронного газа. Механизмы релаксации энергии. // XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. Курган. Сборник трудов. стр. 83-84 2004 г.
Список литературы.
1. S. V. Kravchenko, G. V. Kravchenko, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov and M. D’lorio Possible metal-insulator transition at B=0 in two dimensions // Phys. Rev. B 50, 8039-8042 (1994).
2. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron-electron interaction in disordered conductors. // Elsevier Science Publishers B.V., 1985, 153 p.
3. Hikami S., Larkin A.I., Nagaoka Y., Spin orbit interaction and magnetoresistance in the two dimensional random system. //Progr. Theor. Phys. 44. 707-710 (1980).
4. D. Vollhardt and P. Woelfle, Anderson Localization in d <~ 2 Dimensions: A Self- Consistent Diagrammatic Theory // Phys. Rev. Lett. 45, 842-846 (1980); D. Vollhardt and P. Woelfle, Diagrammatic, self-consistent treatment of the Anderson localization problem in d <= 2 dimensions // Phys. Rev. B 22, 4666-4679 (1980).
5. Б.И.Шкловский, А. Л.Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников. М. Наука, 1979 416с.
6. P.J. Price, Hot electrons in GaAs heterolayer at low temperature //J. Appl. Phys. 53, 6863-6866 (1982).
7. I L Aleiner, B L Altshuler and M E Gershenson Interaction effects and phase relaxation in disordered systems // Waves Random Media 9, 201-239 (1999).
8. G.M. Minkov, A.V. Germanenko, I.V. Gornyi Magnetoresistance and dephasing in a two-dimensional electron gas at intermediate conductances // http://xxx.itep.ru/abs/cond-mat/0312118послано в Phys. Rev.
9. Walter Eiler. Electron-electron interaction and weak lokalization. //J. of Low Temp. Physics 56 481-498 (1984).
10. M. Pollak and L. Riess, A Percolation Treatment of High Field Hopping Transport, // J. Phys. C9, 2339-2352 (1976).