Оптические и фотоэлектронные спектры диэлектрических купратов
|
Актуальность темы. Медь-кислородные высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) обладают целым рядом необычных свойств, обусловленных сложным взаимодействием электронных, спиновых и решеточных степеней свободы и существенно отличающих их от обычных металлических сверхпроводников. Несмотря на интенсивные усилия исследователей уже в течение 15-ти лет, однозначная теоретическая интерпретация ряда физических явлений и самого механизма высокотемпературной сверхпроводимости до сих пор не найдена. Более того, многие свойства родительских диэлектрических составов остаются загадочными и по сей день. К таким свойствам, в первую очередь, можно отнести поглощение в среднем ИК-диапазоне, природу края фундаментального поглощения, фотоиндуцированное поглощение и данные фотоэмиссии углового разрешения (ARPES) вблизи уровня Ферми. Природа низкоэнергетических возбуждений в родительских квазидвумерных кристаллах, таких как La2CuO4, Sr2CuO2Cl2, и их одномерных аналогов типа Sr2CuO2, Li2CuO2, Sr2CuO3представляет один из наиболее спорных вопросов как в проблеме ВТСП, так и в физике сильнокоррелированных оксидов вообще.
В связи с этим представляется актуальным развитие теоретического подхода, в котором предполагается детальный квантово-химический учет конкретного кристаллического и электронного строения диэлектрических купратов и попытки, в рамках данного подхода, единым образом описать оптические и фотоэлектронные спектры различных диэлектрических купратов. Именно этим вопросам посвящена данная диссертация.
Цель работы является:
1. Разработка полуэмпирической модели электронной структуры диэлектрических купратов, выяснение роли низкоэнергетических чисто кислородных состояний.
2. Расчет и анализ эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии углового разрешения.
3. Развитие теории экситонов для OD, 1D и 2D диэлектрических купратов, расчет спектров энергетических потерь электронов и сравнение их с экспериментальными данными.
Научная новизна и практическая значимость:
- впервые, на основе квантово-химических расчетов электронной структуры, рассчитаны одноэлектронные матричные элементы, определяющие интенсивность фототока в ARPES экспериментах;
- показано, что «эффект остаточной поверхности Ферми», наблюдаемый в фотоэмиссионных экспериментах, связан с эффектами матричного элемента;
- выдвинуто предположение, что конечная интегральная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна (в области ~ 0.1 - 0.5эВ) связана с наличием низкоэнергетического состояния типа Еи;
- развита обобщенная теория экситонов с переносом заряда - одноцентровых (френкелевских) и двуцентровых (как обобщение модели малых экситонов Жанга-Нга), проведена их теоретико-групповая классификация;
- выполнен расчет спектров энергетических потерь электронов в OD, 1D и 2D диэлектрических купратах и дано сравнение с экспериментальными данными;
- теоретически рассмотрено влияние внешнего электрического поля на дипольно-запрещенные фотопереходы в модели Си02-плоскости (20-система) и определены ориентационные и поляризационные зависимости возгорающих переходов. Эти зависимости могут быть использованы на практике для идентификации дипольно-запрещенных экситонных фотопереходов. Показано, что идентификация
возгорающего пика 1.4 эВ в La2CuO4с переходом Big—>B2g в [6] не является однозначной. Предложен способ видоизменения эксперимента, позволяющий отличить переход Blg—>В2д от Big—>A2g;
На Защиту выносятся:
1. Результаты модельных расчетов матричного элемента, определяющего вероятность фотоионизации СиО4^кластера из одночастичных состояний blg, eu.
2. Результаты анализа эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии диэлектрических купратов при рождении больших неадиабатических поляронов.
3. Обобщение теории экситонов с переносом заряда и расчеты оптических спектров диэлектрических купратов.
4. Расчет спектров энергетических потерь электронов в OD, 1D и 2D диэлектрических купратах и сравнение их с экспериментальными данными.
Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на ряде российских и международных конференций:
1. XXVIII Всероссийской зимней школе физиков- теоретиков «Коуровка», 28 февраля - 3 марта 2000г., г. Екатеринбург;
2. Молодежной научной школе «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений», 2—5 ноября 1999г., г.Казань;
3. Всероссийской конференции «Оксиды. Физико-химические свойства», 31 января-4 февраля 2000г., г. Екатеринбург;
4. Международной конференции по электронной структуре и магнетизму сильнокоррелированных систем (CESMSCS), 4-7 марта 2001 г., г. Екатеринбург.
5. International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, July 1 - 4, 2001, Lyon, France.
Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 работ, список которых приведен в конце автореферата.
Работа выполнена на кафедре теоретической физики Уральского Государственного Университета им. А.М. Горького при частичной финансовой поддержке гранта Award 1PREC-005 of the US Civil Research Development Foundation for the Independent States of Former Soviet Union (CRDF) и гранта Министерства образования РФ (грант № Е00-3/4-277).
Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения и изложена на 120 страницах машинописного текста, включая 20 рисунков, 7 таблиц и список литературы, содержащий 99 наименований.
В связи с этим представляется актуальным развитие теоретического подхода, в котором предполагается детальный квантово-химический учет конкретного кристаллического и электронного строения диэлектрических купратов и попытки, в рамках данного подхода, единым образом описать оптические и фотоэлектронные спектры различных диэлектрических купратов. Именно этим вопросам посвящена данная диссертация.
Цель работы является:
1. Разработка полуэмпирической модели электронной структуры диэлектрических купратов, выяснение роли низкоэнергетических чисто кислородных состояний.
2. Расчет и анализ эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии углового разрешения.
3. Развитие теории экситонов для OD, 1D и 2D диэлектрических купратов, расчет спектров энергетических потерь электронов и сравнение их с экспериментальными данными.
Научная новизна и практическая значимость:
- впервые, на основе квантово-химических расчетов электронной структуры, рассчитаны одноэлектронные матричные элементы, определяющие интенсивность фототока в ARPES экспериментах;
- показано, что «эффект остаточной поверхности Ферми», наблюдаемый в фотоэмиссионных экспериментах, связан с эффектами матричного элемента;
- выдвинуто предположение, что конечная интегральная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна (в области ~ 0.1 - 0.5эВ) связана с наличием низкоэнергетического состояния типа Еи;
- развита обобщенная теория экситонов с переносом заряда - одноцентровых (френкелевских) и двуцентровых (как обобщение модели малых экситонов Жанга-Нга), проведена их теоретико-групповая классификация;
- выполнен расчет спектров энергетических потерь электронов в OD, 1D и 2D диэлектрических купратах и дано сравнение с экспериментальными данными;
- теоретически рассмотрено влияние внешнего электрического поля на дипольно-запрещенные фотопереходы в модели Си02-плоскости (20-система) и определены ориентационные и поляризационные зависимости возгорающих переходов. Эти зависимости могут быть использованы на практике для идентификации дипольно-запрещенных экситонных фотопереходов. Показано, что идентификация
возгорающего пика 1.4 эВ в La2CuO4с переходом Big—>B2g в [6] не является однозначной. Предложен способ видоизменения эксперимента, позволяющий отличить переход Blg—>В2д от Big—>A2g;
На Защиту выносятся:
1. Результаты модельных расчетов матричного элемента, определяющего вероятность фотоионизации СиО4^кластера из одночастичных состояний blg, eu.
2. Результаты анализа эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии диэлектрических купратов при рождении больших неадиабатических поляронов.
3. Обобщение теории экситонов с переносом заряда и расчеты оптических спектров диэлектрических купратов.
4. Расчет спектров энергетических потерь электронов в OD, 1D и 2D диэлектрических купратах и сравнение их с экспериментальными данными.
Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на ряде российских и международных конференций:
1. XXVIII Всероссийской зимней школе физиков- теоретиков «Коуровка», 28 февраля - 3 марта 2000г., г. Екатеринбург;
2. Молодежной научной школе «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений», 2—5 ноября 1999г., г.Казань;
3. Всероссийской конференции «Оксиды. Физико-химические свойства», 31 января-4 февраля 2000г., г. Екатеринбург;
4. Международной конференции по электронной структуре и магнетизму сильнокоррелированных систем (CESMSCS), 4-7 марта 2001 г., г. Екатеринбург.
5. International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, July 1 - 4, 2001, Lyon, France.
Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 работ, список которых приведен в конце автореферата.
Работа выполнена на кафедре теоретической физики Уральского Государственного Университета им. А.М. Горького при частичной финансовой поддержке гранта Award 1PREC-005 of the US Civil Research Development Foundation for the Independent States of Former Soviet Union (CRDF) и гранта Министерства образования РФ (грант № Е00-3/4-277).
Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения и изложена на 120 страницах машинописного текста, включая 20 рисунков, 7 таблиц и список литературы, содержащий 99 наименований.
В Заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе:
1. Рассмотрено влияние эффектов матричного элемента на низкоэнергетические спектры фотоэмиссии углового разрешения и показано, что эффект так называемой «остаточной поверхности Ферми» на самом деле может быть объяснен угловой зависимостью матричных элементов, определяющих интенсивность сигнала фотоэмиссии. Показано, что вблизи синглета Жанга-Райса должно лежать возбужденное состояние типа Еи, благодаря чему наблюдается конечная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна.
2. Построена обобщенная теория экситонов с переносом заряда в диэлектрических купратах: одноцентровых (френкелевских) и двухцентровых (подобных малым экситонам Жанга-Нг). Проведена их теоретико-групповая классификация.
Рассмотрено влияние внешнего электрического поля на дипольно-запрещенные фотопереходы. Дан расчет спектров энергетических потерь электронов для 00, Ю и 20 систем и проведено сравнение с экспериментом.
1. Рассмотрено влияние эффектов матричного элемента на низкоэнергетические спектры фотоэмиссии углового разрешения и показано, что эффект так называемой «остаточной поверхности Ферми» на самом деле может быть объяснен угловой зависимостью матричных элементов, определяющих интенсивность сигнала фотоэмиссии. Показано, что вблизи синглета Жанга-Райса должно лежать возбужденное состояние типа Еи, благодаря чему наблюдается конечная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна.
2. Построена обобщенная теория экситонов с переносом заряда в диэлектрических купратах: одноцентровых (френкелевских) и двухцентровых (подобных малым экситонам Жанга-Нг). Проведена их теоретико-групповая классификация.
Рассмотрено влияние внешнего электрического поля на дипольно-запрещенные фотопереходы. Дан расчет спектров энергетических потерь электронов для 00, Ю и 20 систем и проведено сравнение с экспериментом.



