СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ 5
ВВЕДЕНИЕ 6
1. ОСОБЕННОСТИ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ПОСТРАДИАЦИОННЫХ
ПРОЦЕССОВ В КРИСТАЛЛАХ С ПОДВИЖНЫМИ КАТИОНАМИ (АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР) 15
1.1. Оптические материалы для работы в радиационных полях 15
1.2. Оптические кристаллы с подвижными катионами малого радиуса 19
1.3 Радиационно-оптическая устойчивость и механизмы
дефектообразования 24
1.4 Пострадиационные процессы релаксации в системе подвижных
дефектов 26
1.5 Выводы по главе 1 28
2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ 31
2.1. Объекты исследования 32
2.2 Импульсные методы исследования 35
2.2.1. Описание экспериментальной установки 35
2.3. Математическая модель пострадиационных процессов 39
2.3.1 Уравнение Смолуховского и система приближений 39
2.3.2 Кинетика туннельного переноса электрона в системе
«замороженных» дефектов 42
2.3.3 Кинетика туннельного переноса электрона в системе подвижных
дефектов 44
2.4 Алгоритм численного решения и компьютерные коды 45
2.4.1. Конечно-разностная схема решения уравнения Смолуховского .... 45
2.4.2 Метод подобия для большого диапазона времени затухания 48
2.4.3. Организация программного комплекса, интерфейс пользователя.. 48
2.4.4. Подготовка данных для расчета и интерпретация результатов 50
2.5 Параметризация модели 52
2.6. Выводы по главе 2 54
3. КРИСТАЛЛЫ С ВОДОРОДНЫМИ СВЯЗЯМИ ЛОР И КОР 55
3.1 Спектры и кинетика короткоживущего оптического поглощения 56
3.2 Кинетика туннельного переноса электрона в кристаллах с водородными
связями 63
3.2.1 Моделирование кинетики туннельного переноса электрона для
кристалла ЛОР 65
3.2.2 Моделирование кинетики туннельного переноса электрона для
кристалла КОР 69
3.3 Температурные зависимости кинетики затухания КОП 72
3.4. Выводы по главе 3 76
4. ОПТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ БОРАТОВ ЛИТИЯ БТВ И БВО 79
4.1 Спектры и кинетика короткоживущего оптического поглощения 80
4.2 Кинетика туннельного переноса электрона в кристаллах боратов лития 83
4.2.1 Моделирование кинетики туннельного переноса электрона для
кристаллов БТВ и БВО 85
4.2.1.1 Область низких температур, система «замороженных дефектов» 89
4.2.1.2 Область высоких температур, система подвижных дефектов 90
4.3. Выводы по главе 4 94
5. ОПТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ ОРТОБОРАТА ЛИТИЯ-ГАДОЛИНИЯ БСВО 97
5.1 Спектры и кинетика короткоживущего оптического поглощения 98
5.2 Спектры и кинетика ИКЛ 105
5.3 Механизмы формирования КОП и ИКЛ 108
5.4 Моделирование кинетики КОП для кристаллов БСВО 110
5.4.1 Моделирование кинетики КОП для нелегированного кристалла БСВО 110
5.4.2. Модель рекомбинационных процессов в БСВО:Се 114
5.5 Моделирование кинетики туннельного переноса электрона для
кристаллов с подвижными дефектами 122
5.5.1 Кинетика туннельного переноса электрона в системе неподвижных
дефектов 123
5.5.2 Кинетика туннельного переноса электрона в системе подвижных
дефектов 126
5.6 Выводы по главе 5 130
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 133
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 137
Актуальность темы. Развитие науки и техники привело к запросу на радиационно-стойкие оптические материалы, пригодные для работы в ультрафиолетовом (УФ) и вакуумном УФ (ВУФ) диапазонах спектра. К концу прошлого века усилиями многих научных коллективов была достигнута высокая степень изученности процессов дефектообразования и релаксации низ-коэнергетических электронных возбуждений в кубических щелочно- галоидных кристаллах (ЩГК), которые ныне являются классическими модельными объектами физики конденсированного состояния. Впечатляющие успехи в изучении ЩГК стимулировали исследования практически- значимых систем с пониженной симметрией. Одной из таких систем является класс радиационно-стойких оптических материалов на основе низкосимметричных широкозонных оксидных диэлектриков, сформировавшийся к началу 80-х годов прошлого века благодаря бурному развитию твердотельной коротковолновой лазерной техники и интегральной оптики. Фундаментальной особенностью этих материалов является наличие т.н. анионных групп с сильными ковалентными связями внутри групп и сравнительно слабыми ионными связями между анионными группами и катионной подрешеткой. Данная особенность оказывает существенное влияние на процессы радиационного дефектообразования, электронную структуру, механизмы релаксации низко-энергетических электронных возбуждений. Особую остроту данное влияние приобретает в случае т.н. катионов малого радиуса, которые становятся подвижными вблизи комнатной температуры. Важнейшими представителями данного класса оптических материалов являются широкозонные кристаллы дигидрофосфатов калия KH2PÜ4 (KDP) и аммония NH4H2PO4 (ADP), боратов лития - тетраборат лития Li2B4O7 (LTB), триборат лития LiB3O5 (LBO) и двойной ортоборт лития-гадолиния Li6Gd(BO3)3 (LGBO).
Степень разработанности проблемы исследования. Несмотря на огромный интерес к данным материалам и очевидную важность рассматриваемого явления, до сих пор не проводилось систематического изучения широкозонных оптических материалов с подвижными катионами малого радиуса с точки зрения влияния процессов формирования и эволюции короткоживущих радиационных дефектов на релаксацию низкоэнергетических электронных возбуждений. Имеющиеся экспериментальные работы, как правило, фрагментарны, касаются одного какого-то объекта, а теоретические представления в интерпретации экспериментальных данных ограничиваются рас-смотрением простых асимптотических зависимостей типа закона Беккереля. Со всей очевидностью, учет влияния подвижных катионов малого радиуса на динамику низкоэнергетических электронных возбуждений и процессы радиационного дефектообразования в широкозонных оптических материалах требует консолидированного использования экспериментальных методов времяразрешенной спектроскопии с наносекундным временным разрешением и более адекватных математических представлений.
Целью настоящей работы является комплексное исследование кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов (10 нс -10 с) в широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса (ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO) путем консолидированного применения техники времяразрешенной спектроскопии с наносекундным временным разрешением и методов вычислительной физики.
Достижение поставленной цели потребовало выполнения комплекса экспериментальных и расчетных исследований и решения следующих задач:
1. Разработать и создать программный комплекс для моделирования пострадиационных процессов в широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса, позволяющий в широком диапазоне времени затухания осуществлять расчет важнейших функциональных зависимостей для описания кинетики пострадиационных процессов.
2. На примере кристаллов дигидрофосфатов калия (KDP) и аммония (ADP), применяя экспериментальные (импульсная времяразрешенная спектроскопия) и расчетные (созданный программный комплекс) методы, исследовать кинетику пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов катионной подрешетки в нелегированных оптических материалах с 3Р-подвижными катионами малого радиуса (протоны).
3. На примере кристаллов тетрабората (LTB) и трибората (LBO) лития, применяя экспериментальные (импульсная времяразрешенная спектроскопия) и расчетные (созданный программный комплекс) методы, исследовать кинетику пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в нелегированных оптических материалах с 1 D-подвижными катионами малого радиуса (ионы лития).
4. На примере кристаллов двойного ортобората лития-гадолиния, при-меняя экспериментальные (импульсная времяразрешенная спектроскопия) и расчетные (созданный программный комплекс) методы, исследовать кинетику пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в нелегированных (LGBO) и легированных (LGBO:Ce) оптических материалах с 1 D-подвижными катионами малого радиуса (ионы лития).
5. Изучить влияние пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов на кинетику излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений в легированных (LGBO:Ce) оптических материалах с lD-подвижными катионами малого радиуса (ионы лития), применяя экспериментальные (импульсная времяразрешенная спектроскопия) и рас-четные (созданный программный комплекс) методы.
Объектами исследования являются практически значимые широко-зонные оптические кристаллы с подвижными катионами малого радиуса ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO для работы в УФ - ВУФ диапазонах спектра.
Методология и методы исследования. Изучение кинетики процессов релаксации радиационных дефектов широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса (ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO) про-изводилось путем консолидированного использования времяразрешенной импульсной абсорбционной и люминесцентной спектроскопии при возбуждении электронным пучком с наносекундным временным разрешением и методов математического моделирования.
Научная новизна состоит в консолидированном применении техники времяразрешенной спектроскопии с наносекундным временным разрешением совместно с методами вычислительной физики для комплексного исследования кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов (10 нс -10 с) в широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса (ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO), что позволило впервые получить следующие научные результаты:
1. Разработана и реализована в виде программного комплекса математическая модель для описания пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкозонных оптических материалах с подвижны¬ми катионами малого радиуса, особенностью которой является использова¬ние уравнения Смолуховского для корреляционной функции разнотипных дефектов Y(r, t),учитывающего диффузионный процесс в системе подвижных реагентов и туннельный перенос электрона между антиморфными дефектами этой системы.
2. В широкой области времен затухания 10 нс -100 с исследована кинетика пострадиационных процессов релаксации SD-подвижных радиационных дефектов катионной подрешетки нелегированных кристаллов с водородными связями ADP и KDP. Установлено, что она обусловлена диффузионным процессом в системе подвижных катионов и туннельным переносом электрона между антиморфными дефектами водородной подрешетки. В рамках проведенного исследования был выявлен и получил объяснение плотностной эффект - зависимость кинетики от плотности энергии импульса возбуждения.
3. Установлено, что кинетика пострадиационных процессов релаксации 1 D-подвижных радиационных дефектов катионной подрешетки нелегированных кристаллов боратов лития LTB и LBO в широкой области времен затухания 100 нс -1 с обусловлена диффузионным процессом в системе подвижных катионов лития и туннельным переносом электрона между анти- морфными дефектами катионной подрешетки.
4. Для кристаллов двойного ортобората лития-гадолиния установлено, что кинетика пострадиационных процессов релаксации lD-подвижных радиационных дефектов катионной подрешетки нелегированных (LGBO) и легированных (LGBO:Ce) кристаллов в широкой области времен затухания 100 нс -1 с обусловлена диффузионным процессом в системе подвижных катионов лития и туннельным переносом электрона между антиморфными дефектами подрешетки катионов лития. Выявлена, получила объяснение и была параметризована температурная зависимость кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов.
5. На основании полученных экспериментальных (импульсная время- разрешенная спектроскопия) и расчетных (созданный программный комплекс) данных установлено и объяснено влияние пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов на кинетику излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений в легированных (LGBO:Ce) оптических материалах с 1 D-подвижными катионами малого радиуса (ионы лития).
Теоретическая и практическая значимость работы. Экспериментальные и расчетные результаты, полученные при изучении широкозонных оптических материалов с подвижными катионами малого радиуса (ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO), представляют теоретическую и практическую значимость.
Теоретическая значимость полученных результатов для физики конденсированного состояния определяется тем, что для широкозонных оптических материалов с подвижными катионами малого радиуса сформулированы модельные представления, позволяющие с единых позиций качественно и количественно описать кинетику пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов (10 нс -10 с) после импульсного радиационного воз-действия наносекундной длительности.
Практическая значимость работы обусловлена тем, что для широкозонных оптических материалов с подвижными катионами малого радиуса (ADP, KDP, LBO, LTB, LGBO) определены функциональные зависимости и получены численные значения корреляционных функций разнотипных дефектов Y(r, t),нестационарных констант скоростей реакций K(t),кривых кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов n(t)/n0; Для каждого объекта исследования выполнена параметризация функциональных зависимостей и получены значения параметров наилучшей аппроксимации: половина радиуса бора aB,предэкспоненциальный множитель W0 для функции вероятности междефектного туннельного переноса электрона, параметр D,имеющий смысл коэффициента взаимной диффузии разнотипных дефектов. Полученные функциональные зависимости и наборы параметров позволяют для каждого объекта исследования осуществлять расчеты кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкой области времен затухания 10 нс -10 с.
Разработан и реализован программный комплекс «КМТР-1», защищенный свидетельством о государственной регистрации программы для ЭВМ №2011616814. Комплекс позволяет моделировать кинетику пострадиационных процессов в рамках модели туннельного переноса электрона в условиях подвижности одного из партнеров рекомбинационного процесса. Круг объектов для применения комплекса «КМТР-1» не ограничивается упомянутыми в настоящей работе кристаллами широкозонных оксидных диэлектриков, он может быть расширен на другие оптические материалы.
Сопоставление результатов моделирования и экспериментальных данных позволяет сделать выводы о механизмах и количественных характеристиках протекающих в кристаллах пострадиационных процессов, которые представляют значительный интерес, как с фундаментальной точки зрения, так и с практической. С практической точки зрения, полученные сведения могут быть использованные для прогнозирования и управления свойствами оптических материалов в условиях воздействия импульсного ионизирующего излучения, а также оптимизации их радиационно-оптических характеристик.
Защищаемые положения:
1. Кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов n(t)/n0широкозонных оптических материалов с подвижными катионами малого радиуса - дигидрофосфаты калия и аммония (ADP, KDP), бораты лития (LBO, LTB, LGBO) - в широкой временной области 10 нс -10 с описывается моделью, ключевыми моментами которой являются: уравнение Смолуховского для корреляционной функции разнотипных дефектов, нестационарная константа скорости реакции K(t),соответствующая переходной кинетике бимолекулярной реакции A+ B^0,и туннельный перенос электрона между антиморфными дефектами в условиях термостимулированной подвижности одного из партнеров туннельного рекомбинационного процесса.
2. В системе «замороженных» дефектов (отсутствие подвижности при низких температурах) кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкой временной области 10 нс -10 с описывается единой функциональной зависимостью (теоретической кривой) в системе безразмерных параметров. В этой температурной области все различия в форме наблюдаемых кинетических кривых объясняются тем, что реальные кинетические кривые проецируются на различные участки одной и той же теоретической кривой в системе безразмерных параметров.
3. В системе подвижных дефектов кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкой временной области 10 нс -10 с характеризуется двумя стадиями. Начальная стадия не зависит от температуры, контролируется процессом туннельного переноса электрона между антиморфными дефектами и подчиняется функциональной зависимости кинетики туннельной рекомбинации в системе неподвижных дефектов. Конечная стадия кинетики контролируется диффузионным процессом в системе подвижных дефектов и асимптотически стремится к гиперболической зависимости первого порядка. Термостимулированное смещение конечной стадии в область меньших времен затухания обусловлено температурной зависимостью коэффициента взаимной диффузии разнотипных дефектов.
4. Наблюдаемый в кристаллах ADP и KDP плотностной эффект в кинетике пострадиационных процессов релаксации системы SD-подвижных дефектов («укорочение» кинетики с повышением плотность импульса возбуждения) обусловлен обратной зависимостью постоянной времени затухания n(t)/n0от плотности импульса возбуждения.
5. Наблюдаемое в кристаллах LGBO:Ce влияние пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в системе lD-подвижных катионами малого радиуса (ионы лития) на кинетику излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений, в рамках выдвинутой модели объяснено (качественно и количественно) туннельным переносом электрона между радиационными дефектами и примесными Ce(IV) центрами, приводящим к формированию короткоживущих Ce(III) центров в возбужден-ном состоянии.
Личный вклад автора. В диссертационной работе обобщены мате-риалы исследований, которые выполнены лично автором или проведены совместно с научным руководителем при непосредственном участии автора. Постановка задач и определение направлений и методов исследования были проведены совместно с научным руководителем. Разработка математической модели и программного комплекса были выполнены автором при методической поддержке научного руководителя. Экспериментальные данные с использованием методов импульсной абсорбционной и люминесцентной спектроскопии были получены автором в Томском политехническом университете при методической поддержке д.ф.-м.н. В.Ю.Яковлева. Обработка, анализ и интерпретация экспериментальных и расчетных данных, подготовка научных публикаций, формулировка выводов и защищаемых положений по диссертационной работе принадлежат лично автору.
Степень достоверности и апробация результатов работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международных конференциях по радиационной физике и химии неорганических материалов RPC-17 (Томск, 2016) и RPC-16 (Томск, 2014), XII Всероссийской молодежной школе - семинаре по проблемам физики конденсированного состояния вещества (Екатеринбург, 2011), второй Международной школе по физике и химии наноструктурных мате-риалов PCnano-2011 (Екатеринбург, 2011), XVII Всероссийской конференции студентов - физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2011).
Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 13 научных работах, включая 11 статей в ведущих российских и зарубежных рецензируемых научных журналах из списка ВАК, Scopus, Web of Science, а также в сборниках тезисов докладов конференций - 7.
Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 149 страниц, содержит 6 таблиц, 40 рисунков и список использованных источников, состоящий из 118 наименований.
Путем консолидированного применения техники оптической спектроскопии с наносекундным временным разрешением и методов вычислительной физики выполнено комплексное исследование кинетики (10 нс -10 с) пострадиационных процессов релаксации радиационно-индуцированных дефектов в широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса (ЛОР, ПОГ, ББО, БТБ, БСБО). Полученные экспериментальные данные и результаты расчетов позволяют сформулировать следующие основные выводы.
1. Сформулированы модельные представления, позволяющие с единых позиций качественно и количественно описать кинетику пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкозонных оптических материалах с подвижными катионами малого радиуса, на основании которых был разработан и реализован программный комплекс (свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2011616814). Ключевой особенностью разработанного подхода является решение уравнения Смолуховского для нахождения корреляционной функции У(г, I) разнотипных дефектов, которое учитывает диффузионный процесс в системе подвижных реагентов и туннельный перенос электрона между антиморфными дефектами. Для каждого объекта исследования установлены основные функциональные зависимости, описывающие кинетику (10 нс-10 с) пострадиационных процессов после импульсного радиационного воздействия наносекундной длительности; проведена параметризация и получены значения параметров наилучшей аппроксимации. Результаты исследования создают основу для использования найденных зависимостей в практических расчетах кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов.
2. На основании результатов экспериментального и теоретического исследования температурной зависимости кинетики пострадиационных процессов выявлены два альтернативных сценария релаксации радиационных дефектов. Установлено, что в системе «замороженных» дефектов (низкотемпературная система неподвижных дефектов) кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкой временной области 10 нс -10 с подчиняется единой функциональной зависимости (теоретической кривой) в системе введенных безразмерных параметров; все различия в форме наблюдаемых кинетических кривых объясняются тем, что реальные кинетические кривые проецируются на различные участки одной и той же теоретической кривой в системе безразмерных параметров. При увеличении температуры выше температурного порога термостимулированной подвижности дефектов (система подвижных дефектов) кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в широкой временной области 10 нс -10 с характеризуется двумя стадиями. Начальная стадия не зависит от температуры, контролируется процессом туннельного переноса электрона между антиморфными дефектами и подчиняется функциональной зависимости кинетики туннельной рекомбинации в системе неподвижных дефектов. Конечная стадия кинетики контролируется диффузионным процессом в системе подвижных дефектов и асимптотически стремится к гиперболической зависимости первого порядка. Термостимулированное смещение конечной стадии в область меньших времен затухания обусловлено температурной зависимостью коэффициента взаимной диффузии разнотипных дефектов.
3. Исследование пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов катионной подрешетки в нелегированных кристаллах с водородными связями (ADP и KDP), проведенное с помощью экспериментальных (импульсная абсорбционная спектроскопия) и расчетных (разработанный программный комплекс) методов, выявило особенности кинетики релаксации, характерные для оптических материалов с 3Р-системой подвижных дефектов в виде катионов малого радиуса (протонов). Установлено, что особенности кинетики релаксации дефектов в кристаллах ADP и KDP обусловлены диффузионным процессом в 3Р-системе подвижных катионов и туннельным переносом электрона между антиморфными дефектами водородной подрешетки. Объяснена природа плотностного эффекта в кристаллах ADP и КОР. Показано, что «укорочение» кинетики затухания короткоживущего оптического поглощения, наблюдаемое при повышении плотности энергии им-пульса возбуждения, обусловлено обратной зависимостью постоянной времени затухания кривой и(?)/и0 от плотности энергии импульса возбуждения.
4. На основании экспериментальных и расчетных результатов исследования кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в нелегированных кристаллах боратов лития (ЬТВ и ЬВО) выявлены особенности этой кинетики, характерные для оптических материалов с 1Р- системой подвижных катионов малого радиуса (ионы лития). Установлено, что в широкой области времени затухания (100 нс -1 с) кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов ЬТВ и ЬВО обусловлена диффузионным процессом в системе подвижных катионов лития и туннельным переносом электрона между антиморфными дефектами литиевой подрешетки.
5. Кинетика пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов в нелегированных (ЬОВО) и легированных (ЬОВО:Се) оптических кристаллах двойного ортобората лития-гадолиния с 7Р-системой подвижных катионов малого радиуса (ионы лития) исследована с применением экспериментальных и расчетных методов. Установлено, что для широкой области времени затухания (100 нс -1 с) кинетика пострадиационных процессов релаксации обусловлена диффузионным процессом в системе подвижных катионов лития и туннельным переносом электрона между антиморфными дефектами литиевой подрешетки. На основании полученных экспериментальных данных по температурной зависимости кинетики короткоживущего оптического поглощения в температурной области подвижности катионных дефектов была выполнена параметризация модели и определены параметры наилучшей аппроксимации, характеризующие диффузионный процесс в литиевой подрешетке ЬОВО.
6. На основании расчетных данных и экспериментальных результатов, полученных совместным применением двух спектроскопических методов с временным разрешением (импульсная абсорбционная спектроскопия и импульсная катодолюминесценция) выдвинута модель, объясняющая влияние пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов на кинетику излучательного распада низкоэнергетических электронных возбуждений в легированных оптических материалах с 1Р-подвижными катионами малого радиуса (ионы лития). В рамках выдвинутой модели особенности кинетики ИКЛ ЬОВО:Се объясняются туннельным переносом электрона между радиационными дефектами и примесными Ce(IV) центрами, приводящим к формированию короткоживущих Ос^И) центров в возбужденном состоянии.
В перспективе, данное исследование может быть продолжено как в фундаментальном, так и практическом направлении.
Полученные экспериментальные данные по импульсной абсорбционной спектроскопии и импульсной катодолюминесценции могут быть дополнены циклом измерений для более широкого диапазона температур.
Программный комплекс может быть доработан для проведения расчетов кинетики излучательных процессов. При разработке программного комплекса в рамках приближения Кирквуда учитывалось только взаимодействие разнотипных дефектов, в дальнейшем мы можем дополнить расчеты учетом взаимодействия однотипных дефектов.
Расчеты, приведенные в данной работе, выполнены в соответствии с предположением о том, что начальная концентрация дефектов п0, создаваемых при импульсном радиационном воздействии, не зависит от температуры, однако при сопоставлении экспериментальных данных с расчетными можно сделать вывод о наличии такой зависимости. Данный аспект требует отдельного изучения.
Полученные результаты работы создают основу для использования найденных зависимостей в практических расчетах кинетики пострадиационных процессов релаксации радиационных дефектов для более широкого круга объектов, как неорганической, так и органической природы.