Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В ОДНОЭЛЕМЕНТНЫХ ДВУМЕРНЫХ МАТЕРИАЛАХ НА ОСНОВЕ ПНИКТИДОВ

Работа №102157

Тип работы

Авторефераты (РГБ)

Предмет

физика

Объем работы21
Год сдачи2020
Стоимость250 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
26
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы исследования 3
Положения, выносимые на защиту 7
ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ 8
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 22
Список литературы 23

Актуальность темы исследования
Со времен открытия графена и обнаружения его уникальных свойств, дву­мерные материалы привлекают к себе все больше внимания со стороны исследова­телей. Такой интерес обусловлен тем, что при переходе к пониженной размерности в материалах наблюдаются качественные изменения в их химических и физических свойствах. В двумерных материалах распространение носителей заряда, тепла и света ограничено в плоскости, что приводит к значительным изменениям их элек­тронных и оптических свойств. Семейство двумерных материалов достаточно раз­нообразно и имеет в своем составе большинство элементов периодической таб­лицы, что обуславливает широкое разнообразие электронных свойств. В их числе металлы, полуметаллы, изоляторы, полупроводники с прямой и непрямой запре­щенной щелью в диапазонах от ультрафиолетового до инфракрасного. Более того, двумерные структуры обладают отличной сочетаемостью с современными спосо­бами производства тонких пленок в полупроводниковой индустрии, что может спо­собствовать интеграции двумерных материалов с традиционными электронными материалами. Таким образом, двумерные структуры могут сыграть большую роль в составе будущих устройств нано- и оптоэлектроники.
Среди множества двумерных соединений можно выделить одноэлементные двумерные материалы. Они привлекают к себе огромное внимание тем, что обла­дают неординарными электронными, оптическими, магнитными и химическими свойствами в отличие от своих объемных вариантов. Среди таких материалов ак­туальными являются одноэлементные двумерные соединения на основе пниктидов (элементы подгруппы азота периодической таблицы). К ним относятся, среди про­чих, двумерные черный фосфор и сурьма. Свойства двумерного черного фосфора высокоанизотропны и сильно зависят от количества слоев в соединении. Было по­казано, что при комнатной температуре проводимость носителей заряда двумер­ного черного фосфора достигает 1000 см2 В-1 с-1 [1]. Все это делает его перспектив­ным для устройств электроники и оптоэлектроники. Двумерная сурьма отличается высокой структурной стабильностью. Среди отличительных свойств данного мате­риала можно выделить наличие сильного спин-орбитального взаимодействия, что дает дополнительную возможность контроля его свойств. Наиболее ярко эффекты пониженной размерности проявляют себя в картине элементарных возбуждений. В частности, при переходе к двумерной структуре, значительные изменения претер­певает колебательный спектр, в котором происходит разделение акустических вет­вей на две внутриплоскостные и внеплоскостную с квадратичным законом диспер­сии. Аналогичную ситуацию можно наблюдать в картине плазмонных возбужде­ний, возникающих за счет колебаний электронной плотности в материале. Переход к двумерной размерности приводит к появлению акустической плазмонной ветви с законом дисперсии ш(д) ~ ^д, в то время как в объемных кристаллах плазмонная дисперсия ведет себя как ш(д) ~ ^мр + д2 с конечной плазмонной частотой шр при д = 0.
Таким образом, представляется актуальным проведение теоретических ис­следований плазмонных и фононных элементарных возбуждений в двумерном чер­ном фосфоре и двумерной сурьме. В настоящее время имеются достаточно разра­ботанные методы компьютерного моделирования, которые позволяют осуществить вышеизложенные задачи за адекватное время и с хорошей точностью.
Степень разработанности темы исследования
В настоящее время изучению двумерных материалов уделяется большое вни­мание. Наиболее известным и исследуемым двумерным материалом является гра­фен, структурно представляющий из себя атомный слой графита. Помимо графена, достаточно широко исследуемым материалом является двумерный черный фосфор. Сильная зависимость электронных свойств от количества слоев, а также высокая анизотропия привела к росту количества публикаций, касающихся изучения свойств данного материала. Однако, оптические свойства двумерного черного фос­фора были изучены лишь в длинноволновом приближении с использованием низ­коэнергетических гамильтонианов. Структурная стабильность также является од­ним из важных моментов для применения двумерных материалов в практике. На данный момент исследована динамика решетки свободного двумерного черного фосфора, ее зависимость от количества слоев, растяжения и сжатия. Однако, необ­ходимо обратить внимание на стабильность данного материала в условиях адсорб­ции поверхностью различных атомов, встречающихся в большом количестве в окружающей среде.
По сравнению с двумерным черным фосфором, интерес к двумерной сурьме стал расти относительно недавно, хотя ее свойства и наличие сильного спин-орби- тального взаимодействия делают этот материал перспективным для использования в устройствах оптоэлектроники. В настоящий момент для этих материалов стали появляться хорошие модельные приближения, позволяющие с высокой точностью теоретически рассчитать более широкий спектр электронных свойств данных со­единений и выйти за рамки широко используемой теории функционала плотности...

Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Основные результаты и выводы диссертации
1) Проведено первопринципное исследование двумерного черного фосфора в присутствии типичных одновалентных (водород, фтор) примесей. Результаты мо­делирования показывают, что при одностороннем и двустороннем покрытии дву­мерного черного фосфора атомами водорода и фтора происходит его разложение на слабо связанные одномерные цепочки. Несмотря на достаточно большое значе­ние запрещенной зоны (2.29 эВ), покрытый с двух сторон атомами водорода дву­мерный черный фосфор является структурно неустойчивым. Однако, при полном покрытии атомами фтора, двумерный черный фосфор становится структурно устойчивым соединением с шириной запрещенной зоны 2.27 эВ.
2) Проведено исследование диэлектрического экранирования в двумерном черном фосфоре. Показано, что рассчитанная диэлектрическая функция сильно анизотропна. Также была оценена сила эффективных локальных и нелокальных ку­лоновских взаимодействий и их зависимость от концентрации допированных но­сителей заряда. Был рассчитан спектр плазмонных возбуждений двумерного чер­ного фосфора и произведена классификация различных типов возбуждений.
3) Изучены оптические свойства монослоя сурьмы при характерных концен­трациях допированных электронов и при варьировании приложенного напряжения смещения. Обнаружено, что спиновое расщепление приводит к появлению нового типа плазмонных возбуждений с отрицательной дисперсией. Эти возбуждения находятся в среднем инфракрасном диапазоне и чувствительны к величине прило­женного напряжения.
4) Изучена зависимость фононных характеристик и параметра решетки от температуры для двумерного черного фосфора и двумерной сурьмы в рамках под­хода классической молекулярной динамики. Было обнаружено, что учет ангармо- низма в двумерной сурьме и двумерном черном фосфоре приводит к уменьшению частот фононных колебаний по всей зоне Бриллюэна. Оптическая часть спектра претерпевает большие изменения по сравнению с акустической частью в обоих случаях. Также было показано, что с увеличением температуры параметры решетки двумерного черного фосфора увеличиваются, в то время как параметр решетки дву­мерной сурьмы уменьшается.
Перспективы дальнейшей разработки темы
В дальнейшем планируется провести изучение тепловых и термодинамиче­ских характеристик двумерных материалов, рассмотренных в данной диссертации, используя как первопринципные методы, так и методы классической молекуляр­ной динамики. Также планируется провести исследование электронных и оптиче­ских свойств других перспективных двумерных материалов.


1. Boukhvalov, D. W. Chemical modifications and stability of phosphorene with impurities: a first principles study / D. W. Boukhvalov, A. N. Rudenko, D. A. Pri- shchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson // Phys. Chem. Chem. Phys. - 2015. - V. 17. - P. 15209-15217; 1.0 п.л. / 0.25 п.л. (Web of Science, Scopus).
2. Prishchenko, D. A. Coulomb interactions and screening effects in few-layer black phosphorus: a tight-binding consideration beyond the long-wavelength limit / D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, A. N. Rudenko // 2D Mater. - 2017.
• V. 4. - № 025064; 0.8 п.л. / 0.2 п.л. (Web of Science, Scopus).
3. Prishchenko, D. A. Gate-tunable infrared plasmons in electron-doped single­layer antimony / D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, A. N. Rudenko // Phys. Rev. B. - 2018. - V. 98. - № 201401(R); 0.8 п.л. / 0.2 п.л. (Web of Science, Scopus).
4. Kiraly, B. Anisotropic two-dimensional screening at the surface of black phos­phorus / B. Kiraly, E. J. Knol, K. Volckaert, D. Biswas, A. N. Rudenko, D. A. Pri- shchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, P. Hofmann, D. Wegner, A. A. Khaje- toorians // Phys. Rev. Lett. - 2019. - V. 123. - № 216403; 1.21 п.л. / 0.11 п.л. (Web of Science, Scopus).
Публикации в других научных изданиях:
5. Prishchenko, D. A. Plasmons and screening in phosphorus: beyond wavelength limit / D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, A. N. Rudenko // Inter­national Conf. «Ab initio based modeling of advanced materials» (AMM-2016). Russia, Ekaterinburg. 2016. P. 61. (0.06 п.л. / 0.02 п.л.).
6. Prishchenko, D. A. Gate-tunable infrared plasmons in electron-doped single­layer antimony / D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, A. N. Rudenko // International Conf. «Ab initio modeling of advanced materials» (AMM-2019). Russia, Ekaterinburg. 2019. P. 54. (0.06 п.л. / 0.02 п.л.)...


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ