Актуальность темы исследования и степень ее разработанности
Гексагональный нитрид бора (h-BN) является широкозонным материалом с графитоподобной структурой, который может существовать в разнообразных морфологических формах (микро- и наноразмерные монокристаллы, порошок, листы, ленты, тубулярные массивы и т. д). Известно, что энергетическая щель h-BN может варьироваться в пределах от 3.5 до 6.5 эВ в зависимости от способа синтеза, примесного состава, условий последующей обработки, турбостратности и др., что делает его перспективным объектом для оптоэлектронных, люминесцентных и дозиметрических технологий, в том числе при создании эмиттерных и детекторных сред в области излучения УФ- и видимого диапазонов. Множество структурных типов, разнообразие собственных точечных нарушений в анионной и катионной подрешетках в сочетании с варьируемой нестехиометрией, низкий порог образования примесных дефектов с набором не-скольких зарядовых состояний, изменение в широких пределах индекса графитизации представляют собой большой комплекс взаимосвязанных факторов, которые влияют на оптические и люминесцентные свойства гексагонального нитрида бора. В этой связи для выяснения механизмов излучательной и безызлучательной релаксации возбуждений в h-BN необходимо решить целый ряд фундаментальных задач физики конденсированного состояния.
В последние 10 лет исследовательский интерес к структурам на основе h-BN вырос благодаря тому, что он стабилен в 20-форме и является бинарным аналогом графена. На Рисунке В.1 показано число публикаций в период 1950 - 2016 гг. по данным международной базы цитирования SCOPUS, в которых изучались различные физико-химические свойства h-BN. Видно, что с 2010 года наблюдается увеличение, которое коррелирует с резким ростом количества статей по графену. Штриховой линией отмечен 2010 год, когда была вручена Но-белевская премия по физике А. Гейму и К. Новоселову за новаторские эксперименты по исследованию двумерной модификации углерода.
Зависимости построены по данным из открытых источников (www.scopus.com)
Тем не менее до сих пор известно недостаточно работ, посвященных изучению термостимулированных особенностей в процессах люминесценции гексагонального нитрида бора. Кроме того, имеется очень мало данных о спектральном со-ставе термолюминесценции и обоснованной идентификации соответствующих ловушек в й-ВК. Такая информация позволит определить микропараметры и возможную структуру энергетических уровней в запрещенной зоне, которые обусловлены дефектами различной природы и связаны с активными центрами захвата и рекомбинации носителей заряда.
Таким образом, учитывая известные результаты исследований оптических свойств широкого круга структур на основе гексагонального нитрида бора различной размерности и примесного состава, можно сформулировать вопросы, которые остаются нерешенными: недостаточно изучены фундаментальные закономерности и спектрально-кинетические характеристики процессов термостимулированной люминесценции с участием электронных и дырочных уровней в запрещенной зоне собственной и примесной природы; окончательно не сформулированы согласованные зонные модели для качественного и количественного описания механизмов поведения метастабильных уровней захвата и рекомбинации носителей заряда в процессах термостимулированного свечения. Изучение указанных проблем является актуальной задачей физики конденсированного состояния, поскольку позволит расширить имеющиеся представления о роли дефектов кристаллической решетки в формировании оптических и люминесцентных свойств широкозонных нитридных материалов. Полученные данные будут полезны также с точки зрения практического использования, так как помогут обосновать оптимизацию режимов и модификации для существующих методик направленного синтеза гексагонального нитрида бора с заданной структурой энергетических уровней в запрещенной зоне и улучшенными оптико-люминесцентными характеристиками.
С учетом состояния научных исследований закономерностей термостимулированных процессов в люминесценции гексагонального нитрида бора были сформулированы цель и задачи настоящей диссертационной работы.
Цель и задачи исследования
Целью работы является анализ температурных зависимостей и спек-трально-кинетических характеристик люминесценции ультрадисперсных по-рошков гексагонального нитрида бора при различных видах возбуждения, а также количественная оценка энергетических параметров оптически активных дефектных центров собственной и примесной природы.
Для достижения указанной цели были поставлены следующие задачи изучения наноструктурированных порошков й-БИ:
1 Исследовать оптические и люминесцентные свойства при катодо- и фотовозбуждении, выполнить оценку ширины запрещенной зоны Eg;
2 Проанализировать спектральный состав и особенности кинетики тер-мостимулированной люминесценции после воздействия УФ-излучением в диапазоне 6.2 - 3.5 эВ;
3 Оценить энергетические параметры центров свечения и захвата, ответственных за формирование ТЛ-отклика после УФ-возбуждения;
4 Изучить закономерности процессов температурного тушения фото-люминесценции в УФ- и видимой областях спектра в диапазоне RT - 800 К.
Научная новизна
В настоящей работе большинство экспериментальных результатов анализа термолюминесцентных зависимостей было получено впервые.
1 С использованием современных методов спектрально-разрешенной термолюминесценции определены основные эмиссионные полосы, характеризующие ТЛ отклик гексагонального нитрида бора после УФ-воздействия в диапазоне температур RT - 800 K. Измерены спектры УФ-возбуждения ТЛ и про-анализированы их особенности, связанные с собственными и примесными дефектными центрами.
2 Показано, что активными люминесцирующими центрами в нано- структурированных порошках h-BN при протекании процессов термостимулированного свечения являются технологические примеси кислорода и углерода, а также собственные дефектные центры на основе азотных вакансий. Выполнена комплексная идентификация связи выделенных полос эмиссии и возбуждения с конкретными точечными дефектами.
3 Впервые для наноструктурированных порошков гексагонального нитрида бора, подвергнутых воздействию УФ-излучения, получены количественные данные о параметрах кинетики ТЛ процессов и энергии активации центров захвата носителей заряда.
4 Впервые температурные зависимости ФЛ в диапазоне КТ - 800 К для мезографитных порошков гексагонального нитрида бора количественно про-анализированы в рамках формализмов Мотта и Стрита, которые реализуются в твердых телах с различным типом преобладающего атомного разупорядочения. Получены оценки энергии активации безызлучательных каналов релаксации возбуждений в предположении доминирования внешних термоактивационных механизмов температурного тушения ФЛ.
Теоретическая и практическая значимость
Гексагональный нитрида бора, прежде всего в 2В-форме и в наноструктурированном состоянии, имеет хорошие перспективы для применений в качестве функциональной среды новых элементов опто- и наноэлектроники. Результаты исследований оптико-люминесцентных свойств указанных объектов, представленные в диссертационной работе, имеют несомненную практическую ценность для разработки режимов направленного синтеза наноструктур на основе й-ВП с заданными эмиссионными характеристиками.
Полученные результаты о влиянии точечных структурных нарушений и о высокотемпературных особенностях люминесцентной активности й-ВП могут быть использованы для дальнейших систематических исследований в области получения, легирования и изучения свойств неуглеродных слоистых нано-структур.
Методология и методы исследования
Объектом изучения в настоящей диссертационной работе являлись ультрадисперсные порошки гексагонального нитрида бора. Для образцов был выполнен комплекс экспериментальных исследований на основе взаимодополняющих методик оптической, термо-, катодо- и фотолюминесцентной спектроскопии. Анализ процессов возбуждения и эмиссии термолюминесценции с не-обходимым спектральным разрешением позволил получить новые данные об энергетической структуре центров захвата в запрещенной зоне и оценить кинетические параметры термостимулированных механизмов свечения в порошках h-BN.
Защищаемые положения
1 Термолюминесцентный отклик в диапазоне 300 - 400 К наноструктурированных порошков h-BN с шириной запрещенной зоны Eg> 5.4 эВ формируется ловушками с энергией активации Ea= 0.6 _ 0.8 эВ, которые обусловлены центрами на основе азотных вакансий и активно заполняются при комнатной температуре под воздействием монохроматического УФ-излучения.
2 В спектральном составе термолюминесценции наноструктурированных порошков h-BN доминируют полосы свечения в диапазоне 3.0 - 3.9 эВ, обусловленные рекомбинационными процессами с участием энергетических уровней дырочных центров углерода внутри запрещенной зоны.
3 Процессы температурного тушения фотолюминесценции 3.0 - 3.9 эВ в диапазоне RT - 800 K в мезографитных наноструктурированных порошках h- BN протекают по внешнему термоактивационному механизму с одним или двумя каналами безызлучательной релаксации возбуждений, для которых характерны значения энергии активации Eq= 0.25 и 0.8 эВ.
Степень достоверности и апробация результатов
Защищаемые научные положения и выводы базируются на результатах проведенных экспериментов и выполненных расчетов, достоверность которых была обеспечена использованием комплекса апробированных спектроскопических методик и аттестованного оборудования по экспериментальному изучению спектров диффузного отражения, катодо-, фото-, термолюминесценции в конденсированных средах, применением компьютерных программ статистической обработки полученных массивов данных, анализом погрешностей измерений.
Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на следующих конференциях: 17-th International Conference on Solid State Dosimetry (Recife, Brazil, 2013); XIV и XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14, СПФКС-15, Екатеринбург, 2013, 2014); 12-th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials. (EURODIM, Canterbury, England, 2014); I, II и III Международная молодежная научная конференция, Физика Технологии Инновации. (Екатеринбург, 2014, 2015 и 2016); 9-th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR, Tartu, Estonia, 2015); 5-th International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical (5th IWASOM, Gdansk, Poland, 2015); 11-th International Conference on Nuclear Sciences and Applications (ESNSA-11, Hurgada, Egypt, 2016).
Работа выполнена на кафедре Физических методов и приборов контроля качества Физико-технологического института УрФУ и в лабораториях Научно-образовательного центра «Наноматериалы и нанотехнологии» при поддержке Программы повышения конкурентоспособности УрФУ среди ведущих мировых университетов и Программы развития УрФУ (подзадача «Проведение научных исследований аспирантами и магистрантами»).
Публикации
Результаты исследований изложены в 3 статьях, опубликованных в рецензируемых научных журналах, рекомендованных ВАК РФ для публикации результатов кандидатских диссертаций, 2 статьях в сборниках и материалах конференций, 10 тезисах докладов международных и российских научных конференций.
Личный вклад автора
Для измерений 3D зависимостей спектрально-разрешенной термостимулированной люминесценции в диссертации использовался оригинальный экспериментальный комплекс, разработанный доцентом кафедры Физических методов и приборов контроля качества ФТИ, с.н.с. НОЦ НАНОТЕХ УрФУ, к.ф.-м.н. Вохминцевым А.С. Аттестация образцов с использованием Рамановской спектроскопии выполнена старшим научным сотрудником Центра коллективного пользования «Состав вещества» Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН, к.т.н. Вовкотруб Э.Г. Рентгеноструктурный анализ проведен доцентом кафедры Теоретической физики и прикладной математики ФТИ УрФУ, к.ф.-м.н. Чукиным А.В. Часть исследований нанопорошка h-BN (Hongwu Intl. Ltd., Гонконг) методом растровой электронной микроскопии выполнены совместно с доцентом кафедры «Термообработка и физика металлов» ИММт УрФУ, к.т.н. Карабаналовым М.С.
Определение цели и задач диссертационной работы, обоснование природы центров наблюдаемого свечения, формулировка выводов и защищаемых положений выполнены совместно с научным руководителем. Автором проведены все оптические и люминесцентные измерения, для которых выполнены обработка и анализ результатов эксперимента, расчет кинетических параметров и интерпретация полученных данных.
Структура и объем диссертационной работы
Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Объем - 119 страниц текста, включая 46 рисунков, 20 таблиц и список литературы, содержащий 119 источников.
В настоящей диссертационной работе проведено комплексное экспериментальное исследование спектрально-кинетических закономерностей люминесценции и термостимулированных процессов в ультрадисперсных порошках гексагонального нитрида бора и получены следующие основные результаты:
1 В рамках анализа спектров диффузного отражения изучены оптические свойства наноструктурированных порошков й-БК. В предположении прямых разрешенных переходов рассчитаны значения ширины запрещенной зоны Бё = 5.4 - 5.5 эВ. Показано, что полученные оценки хорошо согласуются с известными литературными данными.
2 Обнаружено, что для спектров возбуждения ФЛ характерны зависимости с четырьмя пиками: 5.8 эВ (215 - 220 нм), 5.3 эВ (234 нм), 4.96 эВ (250 нм) и
4.6 эВ (270 нм). Сравнение полученных данных с результатами по оптическому поглощению и с результатами независимых исследований показало, что компоненты > 5.4 эВ обусловлены межзонными переходами. Наблюдаемые полосы с энергиями максимумов < 5 эВ могут быть связаны с прямым возбуждением электронов из валентной зоны на уровни захвата в запрещенной зоне.
3 Установлено, что в спектрах люминесценции исследуемых наноструктурированных порошков наблюдаются полосы свечения с близкими характеристиками при различных видах стимуляции. В спектрах КЛ, ФЛ и ТЛ регистрируется компонента I: 2.82 - 3.00 эВ. Компоненты II (3.05 - 3.14 эВ), III (3.27 - 3.45 эВ) и IV (3.67 - 3.89 эВ) наблюдаются в ходе термо- и фотолюминесценции. С учетом данных из независимых источников, показано, что указанные максимумы свечения обусловлены, главным образом, процессами рекомбинации с участием центров, уровни которых образованы примесями кислорода Оы и углерода Сы, а также вакансиями азота Уы различных типов.
4 При анализе спектрально-температурных характеристик люминесценции УФ-облученных порошков й-БК показано, что в спектральном составе ТЛ максимума при Тм = 350 К присутствуют полосы Хэ = 390 нм (3.18 эВ) и Хэ = 335 нм (3.7 эВ). Установлено, что наблюдаемый в диапазоне 300 - 400 К ТЛ-отклик формируется за счет опустошения активной ловушки на основе одноборного Уы-центра. Наблюдаемые ТЛ процессы проанализированы в рамках формализма кинетики общего порядка, рассчитаны значения энергии активации Еа = 0.6 - 0.8 эВ.
5 Полученные результаты с учетом независимых литературных данных были обобщены в виде зонных схем энергетических уровней. Показано, что в рамках единой зонной диаграммы могут быть успешно интерпретированы экспериментально наблюдаемые спектры возбуждения и эмиссии фото- и термо-люминесценции исследуемых ультрадисперсных порошков й-ВН Полосы воз-буждения с энергиями > 5.4, 4.0-4.3, 4.6, 5.0 и 5.3 эВ обусловлены межзонными переходами и переходами Сы ^ ЗП, ВЗ ^ УЫ3, ВЗ ^ УЫ1, ВЗ ^ Оы соответственно. Компоненты 3.9, 3.0-3.1 и 3.6-3.7 эВ в спектрах свечения могут быть приписаны рекомбинационным процессам с участием примесных центров Сы.
6 Продемонстрировано, что зависимости температурного тушения ФЛ в наноструктурированных порошках й-ВЫ с высокой точностью аппроксимируются в рамках известных соотношений Мотта и Стрита. Показано, что наблюдаемые процессы могут быть описаны в рамках моделей с одним или двумя каналами безызлучательной релаксации. Показано, что использование модели Мотта для исследуемых порошков й-ВЫ дает хорошо согласованные и физически обоснованные значения модельных параметров, в отличие от соотношения Стрита. Сделан вывод о наличии внешних термоактивированных механизмов тушения интенсивности ФЛ гексагонального нитрида бора в диапазоне температур КТ - 800 К. Установлено, что каналы безызлучательной релаксации возбуждений в изучаемых порошках имеют энергии активации 1у = 0.25 ± 0.03 и 0.8 ± 0.05 эВ, которые соответствуют термической глубине электронных ловушек на основе Оы- и Уы-центров.
7 Сформулированы перспективы дальнейшей разработки темы исследования. Полученные результаты о влиянии точечных структурных нарушений и о высокотемпературных особенностях люминесцентной активности й-БК могут быть использованы для дальнейших систематических исследований в области получения, легирования и изучения свойств неуглеродных слоистых нано-структур.
1 Korsaks V. Luminescence processes in different structured boron nitride materials / summary of doctoral thesis, promotion to the degree of doctor of physics, subbranch: solid state physics / Valdis Korsaks. - Riga, 2012
2 Реаsе R.S. Crystal structure of boron nitride / Pease R.S. // Nature. - 1950. -
V. 165. - № 4201. - 722-723
3 Реаsе R.S. An X-ray study of boron nitride / Pease R.S. // Acta Crystallographica.
- 1952. - V. 5. - № 3. - P. 356-361
4 Wcntúrf R.H. Cubic form of boron nitride / Wentorf R.H. // The Journal of Chem-ical Physics. - 1957. - V. 26. - P. 956-957
5 Neuhaus A. Die Synthese des Diamanten II / Neuhaus A., Meyer H.J. // Angewandte Chemie. - 1957. - V. 69. - № 17. - P. 551-557
6 Wcntürf R.H. Preparation Of Semiconducting Cubic Boron Nitride / Wentorf R.H. // Journal of Chemical Physics. - 1962. - V. 36. - № 8. - P. 1990-1991
7 Ilcroid A. Preparation et structure du nitrure bore / Herold A., Marzluf B., Pério P.// The Comptes Rendus de l'Academie Bulgare des Sciences. - 1958. - V. 246. - P. 1866-1872
8 Брегер А.Х. О xuMnuecKon связи в графита и HUTpuge бора / Bperep А.Х., Жданов Г.С. // ДАН СССР. - 1940. - № 28. - С. 630-637
9 Самсонов Г.В. Нитриды / Самсонов Г.В. - Kuee: Наукова Думка, 1969. - 380 с.
10 Пат. 1135232 Соединенные Штаты Америки, US1135232 A. Process of making boron nitrid [TeKCT] / Weintraub G.; зaявитeль и naтeнтooблaдaтeль Gen-eral Electric Company; приор. 03.02.1913, опубл. 13.04.1915
11 Пат. 2865715 Соединенные Штаты Америки, US2865715 A. Manufacture of boron compounds [TeKCT] / Kamlet J.; зaявитeль и пaтeнтooблaдaтeль National Distillers and Chemical Corporation; приор. 03.03.1955, опубл. 23.12.1958
12 Пат. 2163562 Российская Федерация, RU 2163562 C1. Способ пoлучeния графитоподобного нитрида бора [TeKCT] / Боровинская И.П., Мepжaнoв А.Г., Хуртина Г.Г.; заявитель и патентообладатель Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. - № 99114720/12; приор. 07.07.1999, опубл. 27.02.2001
13 Alexander A. Nitride Ceramics: Combustion Synthesis, Properties and Applica-tions / A. Alexander, A. Gromov, L. Chukhlomina. Wiley VCH, 2014. 358 p.
14 Чухломина Л.Н. Синтез нитридов элементов III - VI групп и композиционных материалов на их основе азотированием ферросплавов в режиме горения / дис. д-ра техн. наук: 05.17.11 / Чухломина Людмила Николаевна. - Томск, 2009. - 373 с.
15 Пат. 4971779 Соединенные Штаты Америки, US4971779 A. Process for the pyrolytic conversion of a polymeric precursor composition to boron nitride / Paine R.T., Jr., Narula C.K.; заявитель и патентообладатель University Of New Mexico; приор. 17.02.1989, опубл. 20.11.19908
16 Kalyoncu R.S. High-purity, fine-particle boron nitride powder synthesis at -75 to 750 degrees C / R. Kalyoncu // Tuscaloosa, AL: U.S. Department of the Interior, Bu-reau of Mines, RI 9012. - 1986. - P. 1-9
17 Eugene A. Aerosol Assisted Vapor Synthesis of Spherical Boron Nitride Powders / Eugene A. [et al.] // Chemistry of Materials. - 2000. - V. 12. - P. 19-21
18 Matsuda T. Synthesis and structure of chemically vapour-deposited boron nitride / Matsuda T., Uno N., Nakae H.// Journal of materials science. - 1986. - V. 21. - P. 649-658
19 Yumeng S. Synthesis of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Thin Film by Chemical Vapor Deposition / Yumeng S. [et al.] // Nano Letters. - 2010. - V.10. - P. 4134-4139
20 Zhang C. Controllable Co-segregation Synthesis of Wafer-Scale Hexagonal Bo¬ron Nitride Thin Films / Zhang C. [et al.] // Advanced Materials. - 2014. - V.26. - P. 1776-1781
21 TaniguchiT. Synthesis of high-purity boron nitride single crystals under high pressure by using Ba-BN solvent / Taniguchi T., Watanabe K.// Journal of Crystal Growth. - 2007. - V.303. - P. 525-529
22 Zhigadlo N.D. Crystal growth of hexagonal boron nitride (hBN) from Mg-B-N solvent system under high pressure / Zhigadlo N.D. // Journal of Crystal Growth. -
2014. - V.402. - P. 308-311
23 Kaneko J. Development of a radiation detector made of a cubic boron nitride pol-ycrystal / Kaneko J. [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - 2007. - V.576. - P. 417-421
24 Tian Y. Ultrahard nanotwinned cubic boron nitride / Tian Y. [et al.] // Nature. -
2013. - V. 493. - P. 385-388
25 Bernard S. Nanostructured and architectured boron nitride from boron, nitrogen and hydrogen-containing molecular and polymeric precursors / Bernard S., Miele P. // Materials Today. - 2014. - V.17. - P. 443-450
26 Lee C. Synthesis of boron nitride nanotubes by arc-jet plasma / Lee C. [et al.] // Current Applied Physics. - 2006. - V.6. - P. 166-170
27 Fengqiu J. Mechanosynthesis of Boron Nitride Nanotubes / Fengqiu J. [et al.] // Chinese Journal of Chemical Engineering. - 2006. - V.14. - P. 389-393
28 Jin C. Fabrication of a Freestanding Boron Nitride Single Layer and Its Defect Assignments / Jin C. [et al.] // Physical Review Letters. - 2009. - V.102. - P. 195505
29 Miyamoto Y. Spectroscopic characterization of Stone - Wales defects in nano-tubes / Miyamoto Y. [et al.] // Physical Review B. - 2004. - V.69. - P. 121413 - 1-4
30 Katzir A. Point defects in hexagonal boron nitride. I. EPR, thermoluminescence, and thermally - stimulated - current measurements / Katzir A. [et al.] // Physical Re¬view B. - 1975. - V.11. - P. 2370-2377
31 Zung A. Point defects in hexagonal boron nitride. II. Theoretical studies / Zung A., Katzir A. // Physical Review B. - 1975. - V.11. - P. 2378-2381
32 E. Y. Andrei Point defects in hexagonal boron nitride. III. EPR in electron - irra-diated BN / E. Y. Andrei, A. Katzir, J. T. Suss // Physical Review B. - 1976. - V.13. - P. 2831-2835
33 У. Д. Джузеев Спектры Фотолюминесции Нитрида бора, Активированного Некоторыми Элементами / У. Д. Джузеев, П.Е. Рамазанов // Известия Высших Учебных Заведений. - 1969. - V.7. - P. 81-85
34 T. B. Ngwenya Defect states of complexes involving a vacancy on the boron site in boronitrene / T. B. Ngwenya, A. M. Ukpong, N. Chetty// Physical Review B. - 2011. - V.84. - P. 245425 - 1-12
35 C. Attaccalite Coupling of excitons and defect states in boron - nitride nanostruc-tures / C. Attaccalite [et al.] // Physical Review B. - 2011. - V.83. - P. 144115
36 W. Orellana Stability of native defects in hexagonal and cubic boron nitride /
W. Orellana, H. Chacham // Physical Review B. - 2001. - V.63. - P. 125205
37 S. N. Grinyaev Deep Levels of Nitrogen Vacancy Complexes in Graphite - like Boron Nitride / S. N. Grinyaev, F. V. Konusov , V. V. Lopatin // Physics of the Solid State. - 2002. - V.44. - P. 286-293
38 С.Н. Гриняев Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С.Н. Гриняев, Ф.В. Конусов, В.В. Лопа-тин, Л.Н. Шиян // Физика твердого тела. - 2004. - Т. 46. - № 3. - C. 424-429
39 B. Zhong A facile route to high - purity BN nanoplates with ultraviolet cathodo-luminescence emissions at room temperature / B. Zhong, [et al.] // Materials Research Bulletin. - 2014. - V. 53. - P. 190-195
40 D. Qiu Investigation on the microstructure and optical properties of c-axis orient¬ed nanocrystalline hexagonal BN films fabricated by hot-filament chemical vapor deposition / D. Qiu // Thin Solid Films. - 2005. - V. 484. - P. 90-93
41 X. Zhang Effects of carbon and oxygen impurities on luminescence properties of BCNO phosphor / X. Zhang, [et al.] // Journal of the American Ceramic Society. -
2014. - V. 97. - P. 246-250
42 C. Zhi Novel Boron Nitride Hollow Nanoribbons / C. Zhi, [et al.] // ACS Nano. -
2008.- V. 2. - P. 2183-2191
43 D. Evans Determination of the optical bandgap energy of cubic and hexagonal bo-ron nitride using luminescence excitation spectroscopy / D. Evans, [et al.] // Journal of Physics Condensed Matter. - 2008. - V. 20. - P. 075233 - 1-7
44 H. Nersisyan Thermally induced formation of 2D hexagonal BN nanoplates with tunable characteristics / H. Nersisyan, [et al.] // Journal of Solid State Chemistry. -
2015. - V. 225. - P. 13-18
45 C. Tang Boron-oxygen luminescence centres in boron-nitrogen systems / C. Tang, Y. Bando, C. Zhi, D. Golberg // Chem. Commun. - 2007. - V. 44. - P. 4599-4601
46 L. Museur Photoluminescence of hexagonal boron nitride: Effect of surface oxidation under UV-laser irradiation / Luc Museur, Demetrios Anglos, Jean-Pierre Petitet, Jean-Pierre Michel, Andrei V. Kanaev // Journal of Luminescence. - 2007. - V. 127. - P. 595-600
47 Y. Kobayashi Hexagonal boron nitride grown by MOVPE / Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto // Journal of Crystal Growth. - 2008. - V. 310. - P. 5048-5052
48 O. Tsuda Crystallization of hexagonal boron nitride exhibiting excitonic lumines-cence in the deep ultraviolet region at room temperature via thermal chemical vapor phase deposition / O. Tsuda, K. Watanabe, T. Taniguchi // Diamond & Related Mate-rials. - 2010. - V. 19. - P. 83-90
49 L. Liu X-ray excited optical luminescence from hexagonal boron nitride nano-tubes: Electronic structures and the role of oxygen impurities / L. Liu [et al.] // ACS Nano. - 2011. - V. 5. - P. 631-639
50 A.G. McGlynn Optical and X-ray Spectroscopy of Wide Band Gap Semiconduc-tors and Organic Thin Films / thesis in cand. philosophiae doctor / Andrew G. McGlynn. -2010. - 234 p.
51 B. Berzina Exciton luminescence of boron nitride nanotubes and nanoarches / B. Berzina [et al.] // physica status solidi (b). - 2006. - V. 243. - P. 3840-3845
52 V. Korsaks Influence of air, oxygen, nitrogen and argon on 400 nm luminescence in hexagonal boron nitride / V. Korsaks, B. Berzina, L. Trinklere // Latvian journal of physics and technical sciences. - 2012. - V. 49. - P. 57-61
53 M.-S. Jin Photoluminescence of Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Film / M.-S. Jin, N.-O. Kim // Journal of Electrical Engineering & Technology. - 2010. - V. 5. - № 4. - P. 637-639
54 Henaish A.M.A. Spectrally resolved thermoluminescence measurements in fluo-rescence spectrometer / Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Henaish A.M.A., Weinstein I.A. // Measurement. - 2015. - V. 66. - P. 90-94
55 Вохминцев А. С. Высокотемпературная приставка для измерения спек-тральных характеристик термолюминесценции / Вохминцев А.С., Минин М.Г., Чайкин Д.В., Вайнштейн И.А. // Приборы и техника эксперимента. - 2014. - №3. - С. 139
56 В.И. Фистуль Физика и химия твердого тела / В.И. Фистуль Учебник для вузов. - Москва: Металлургия, 1995. - 480 с.
57 Краснокутский Ю.И. Получение тугоплавких соединений в плазме / Краснокутский Ю.И., Верещак В.Г. - К.: Вища школа, 1987. - 200 с.
58 R. Gao High-yield synthesis of boron nitride nanosheets with strong ultraviolet cathodoluminescence emission / R. Gao [et al.] // Journal of Physical Chemistry C. -
2009.- V.113. - P. 15160-15165.
59 M. Shtein Graphene-Based Hybrid Composites for Efficient Thermal Manage¬ment of Electronic Devices / M. Shtein, R. Nadiv, M. Buzaglo, O. Regev // ACS Ap¬plied Materials & Interfaces. - 2015. - V. 71. - P. 205201 - 1-12.
60 S. Reich Resonant Raman scattering in cubic and hexagonal boron nitride / S. Reich, A.C. Ferrari // Physical Review B. - 2005. - V. 71. - P. 205201 - 1-12.
61 R. V. Gorbachev Hunting for Monolayer Boron Nitride: Optical and Raman Sig-natures / R. V. Gorbachev [et al.] // Small. - 2011. - V. 7. - P. 465-468
62 R. Arenal Raman Spectroscopy of Single-Wall Boron Nitride Nanotubes /
R. Arenal [et al.] // Nanoletters. - 2006. - V. 6. - № 8. - P. 1812-1816
63 J. Thomas Turbostratic boron nitride: Thermal transformation to ordered-layer lattice boron nitride / J. Thomas, N. E. Weston, T. E. O'Connor // Journal of the American Chemical Society. - 1962. - V.84. - № 24. - P. 4619-4622
64 Г. Кортюм Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения / Г. Кортюм, В. Браун, Г. Герцог // Успехи Физических Наук. - 1965. - Т. 85. - В. 2. - С. 365-380
65 T. Eickhoff Diffuse reflectance spectroscopy of powders / T. Eickhoff, W. Theiss // Vibrational Spectroscopy. - 1990. - V. 1. - P. 229-233
66 Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников / М. ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 560 с.
67 Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников / М.: Мир, 1977. - 678 с.
68 Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров / Гурвич А.М. Учебное пособие для втузов. М. «Высшая школа», 1971. 336 с.
69 R. Chen Theory of Thermoluminescence and Related Phenomena / R. Chen,
S. W.S. McKeever. Singapore: World Scientific Publishing Co., 1997. 576 p.
70 Кюри Д. Люминесценция кристаллов / Кюри Д. М. Издательство иностранной литературы, 1961. 200 c.
71 Street R.A. Luminescence in Amorphous Semiconductors / Street R.A. // Advances in Physics 1976. - V. 25. - № 4. - P. 397-454
72 H. Chen Light emission and excitonic effect of boron nitride nanotubes observed by photoluminescent spectra / H. Chen [et al.] // Optical Materials. - 2007. - V. 29. - P. 1295-1298
73 X. Z. Du The origin of deep-level impurity transitions in hexagonal boron nitride /X. Z. Du [et al.] // Applied Physics Letters. - 2015. - V. 106. - P. 021110 - 1-4
74 A. Zunger Point, defects in hexagonal boron nitride. II. Theoretical studies /
A. Zunger, A. Katzir // Physical Review B. - 1975. - V.11. - № 6. - P. 2378-2389
75 J. S. Lauret Optical Transitions in Single-Wall Boron Nitride Nanotubes/ J. S. Lauret [et al.] // Physical Review Letters. - 2005. - V. 94. - P. 037405
76 A. Zunger Optical Properties of hexagonal boron nitride / A. Zunger, A. Katzir, A. Halper // Physical Review B. - 1976. - V.13. - P. 5560-5573
77 S.P.S. Arya Preparation, properties and applications of boron nitride thin films / S.P.S. Arya, A. D'Amico // Thin Solid Films. - 1988. - V.157. - P. 267-282
78 V.L. Solozhenko Bandgap energy of graphite-like hexagonal boron nitride / V.L. Solozhenko [et al.] // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2001. - V.62. - P. 1331-1334
79 T. Oku Atomic structures and properties of boron nitride nanomaterials / T. Oku,
A. Mendez-Vilas, J. Diaz // Microscopy Science Technology Applications and Edu-cation. - 2010. - V.12. - P. 1630-1641
80 A. Nayak Inversion of the Electrical and Optical Properties of Partially Oxidized Hexagonal Boron Nitride / A. Nayak [et al.] // NANO: Brief Reports and Reviews. - 2014. - V.9. - P. 1450002 - 1-12
81 R. Arenal Electron Energy Loss Spectroscopy Measurement of the Optical Gaps on Individual Boron Nitride Single-Walled and Multiwalled Nanotubes / R. Arenal [et al.] // Physical Review Letters. - 2005. - V.95. - P. 127601 - 1-4
82 В.А. Фомичев Рентгеновские спектры и энергетические схемы BeO и BN /
B. А. Фомичев // Физика Твердого Тела. - 1971. - В.13 - С. 907-911
83 М.Б. Хусибман Некоторые особенности гексагонального нитрида бора / М.Б. Хусибман // Физика Твердого Тела. - 1973. - В.11 - С. 507-509
84 M.J. Rand Preparation and Properties of Thin Film Boron Nitride / M.J. Rand, J.F. Roberts // Journal of the Electrochemical Society. - 1968. - V.115 - P. 423-429
85 J. Zupan Optical properties of graphite and boron nitride / J. Zupan, D. Kolar // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1972. - V.5 - P. 3097-3100
86 S.N. Savostina, V.B. Tulvinsky, A.A. Guzhov. Proceedings of VII Ural Confer-ence on Spectroscopy (IFM UHTs AN SSSR, Sverdlovsk, USSR), 1971, pp. 189-191 (in Russian)
87 D. M. Hoffman Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05-10 eV / D. M. Hoffman [et al.] // Physical Review B. - 1984. - V.30 - P. 6051-6056
88 S. Larach Multiband Luminescence in Boron Nitride / S. Larach [et al.] // Physi¬cal Review. - 1956. - V.104 - P. 68-73
89 W. Baronian The optical properties of thin boron nitride films / W. Baronian // Materials Research Bulletin. - 1972. - V.7. - P. 119-124
90 A.I. Lukomskii Luminescence properties of graphite-like boron nitride / A.I. Lu- komskii [et al.] // Journal of applied spectroscopy. - 1993. - V.57 - P. 607-610
91 L.G. Carpenter The electrical resistivity of boron nitride over the temperature range 700°C to 1400°C / L.G. Carpenter [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 1982. - V.15 - P. 1143-1151
92 Хинайш A.M.A. Влияние способа синтеза на люминесцентные свойства порошков гексагонального нитрида бора / Минин М.Г., Хинайш А.М.А., Гурлова Н. А., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Материалы Двадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20, Ижевск). - 2014. - С. 313 - 314
93 Henaish A.M.A. Comparative study of luminescent properties in h-BN mi-cropowders synthesized by plasma chemical and carbamide techniques / Minin M.G., Henaish A.M.A., Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Kartashov V.V. // 12-th Euro-physical Conference on Defects in Insulating Materials. (EURODIM). (Canterbury, England). - 2014. - P-THU-71
94 Henaish A.M.A. Luminescence properties of h-BN powder synthesized by PECVD technique / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015). (Tartu, Estonia). - 2015. - P. 169
95 Henaish A.M.A. Влияние высокотемпературного отжига на фотолюминесцентные свойства порошков h-BN / Henaish A.M.A., Минин М.Г., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А., Гурлова Н.А., Карташов В.В. // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества СПФКС-14. (Екатеринбург: ИФМ УрО РАН). - 2013. - С. 249
96 C. Zhi Self-Assembly and Cathodoluminescence of Microbelts from Cu-Doped Boron Nitride Nanotubes / C. Zhi, [et al.] // ACS Nano. - 2008. - V. 2. - P. 1523¬1532
97 C. Zhi Phonon characteristics and cathodolumininescence of boron nitride nano-tubes / C. Zhi, Y. Bando, C. Tang, D.Golberg, R. Xie, T. Sekigushi // Applied Phys¬ics Letters. - 2005. - V. 86. - P.25-37
98 H. Chen Cathodoluminescence of boron nitride nanotubes doped by ytterbium / H. Chen, Y.Chen, Y. Liu // Journal of Alloys and Compounds. - 2007. - V. 504. - P. 353-355
99 G. Kitis Properties of thermoluminescence glow curves from tunneling recombi-nation processes in random distributions of defects / G. Kitis, V. Pagonis // Journal of Luminescence. - 2014. - V. 153. - P. 118-124
100 J. F. de Lima Thermally assisted tunneling: An alternative model for the ther-moluminescence process in calcite / J. F. de Lima, M. E. G. Valerio, E. Okuno // Physical Review B. - 2001. - V.64. - P. 014105 - 1-6
101 R. Visocekas Tunnelling radiative recombination in labradorite: its association with anomalous fading of thermoluminescence / R. Visocekas // Nuclear Tracks. - 1985. - V. 10. - P. 521-529
102 Weinstein I.A. Spectral and kinetic features of thermoluminescence in hexago¬nal boron nitride powder after UV-irradiation / Weinstein I.A. , Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Kartashov V.V., Chernetsky I.V. // Radiation Measurements. - 2013. - V. 56. - P 236-239
103 Museur L. Defect-related photoluminescence of hexagonal boron nitride / Museur L., Feldbach E., Kanaev A. // Physical Review B. - 2008. - V. 78. - P. 155204 - 1-8
104 Zhang X. Spectral properties and luminescence mechanism of red emitting BCNO phosphors [Текст] / Zhang X., Jia X., Liu H., Lu Z., Ma X., Meng F., Zhao J., Tang C. // RSC Advances. - 2015. - V. 51. - P. 40864-40871
105 V. Korsaks Low-temperature 450 nm luminescence of hexagonal boron nitride / V. Korsaks, B. Berzina, L. Trinklere // Latvian Journal of Physics and Technical Sci-ences. - 2011. - № 1. - P 55-61
106 C.A. Taylor Observation of near-bandgap luminescence from boron nitride films /
C. A. Taylor [et al.] // Applied Physics Letters. - 1994. - V 65. - № 10. - P 1251-1253
107 А.С. Вохминцев Термолюминесценция в полосе 2.4 эВ облученных анионо-дефектных монокристаллов оксида алюминия [Текст] / дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Вохминцев Александр Сергеевич. - Екатеринбург, 2010. - 147 с.
108 Вайнштейн И.А. Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 эВ в монокристаллах -Al2O3/ Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С., Кортов В.С. // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т.32. - В. 2. - С. 21-27
109 I.A. Weinstein Spectral and kinetic features of thermoluminescence in hexago¬nal boron nitride powder after UV-irradiation / I.A. Weinstein [et al.] // Radiation Measurements. - 2013. - V.56. - P. 236-239
110 Хинайш А.М.А. Тушение фотолюминесценции в микропорошке h-BN при температурах выше комнатной / Хинайш А.М.А., Спиридонов Д.М., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Научно-технический Вестник Поволжья. - 2015. - В. 3. - С. 67-70
111 Henaish A.M.A. Two-level quenching of photoluminescence in hexagonal bo¬ron nitride micropowder / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // AIP Conference Proceedings. - 2016. - V. 1717. - P. 040030 - 1-5
112 Henaish A.M.A. Effect of air annealing on TL properties in irradiated hexagonal boron nitride powders / Minin M.G., Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Henaish A.M.A., Kartashov V.V., Chernetsky I.V. // 17th International Conference on Solid State Dosimetry. (Recife, Brazil). - 2013. - P. 53
113 Henaish A.M.A. Спектрально-разрешенная термолюминесценция микропорошков h-BN, синтезированных плазмохимическим методом / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А., Чукин А.В., Карташов В.В. // Первая Международная молодежная научная конференция, посвященная 65-летию Физико-технологического института. (Екатеринбург: УрФУ). - 2014. - С. 83
114 Henaish A.M.A. Закономерности температурного тушения фотолюминесценции гексагонального нитрида бора / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества СПФКС-15. (Екатеринбург: ИФМ УрО РАН). - 2014. - С. 213
115 Henaish A.M.A. Температурное тушение фотолюминесценции 3.5-3.6 эВ гексагонального нитрида бора / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии. - 2015. - В. 34. - С. 154-158
116 Henaish A.M.A. Specific features of photoluminescence thermal quenching in hexagonal boron nitride mircopowder / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Wein-stein I.A., Chukin A.V., Kartashov V.V. // Тезисы докладов II Международной молодежной научной конференции «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2015). (Екатеринбург: УрФУ). - 2015. - С. 42-43
117 Henaish A.M.A. Thermoluminescence response of h-BN micropowders synthe-sized by different techniques / Minin M.G., Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A., Kartashov V.V. // Book of abstracts The Fifth International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical (Gdansk, Poland). - 2015. - P. 115
118 Henaish A.M.A. Thermoluminescence features of nanosized h-BN after UV ir-radiation / Henaish A.M.A., Spiridonov D.M., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // Book of abstract 11th International Conference on Nuclear Sciences and Applications (ESNSA-11) (Hurgada, Egypt). - 2016. - P. 49
119 Хинайш А.М.А. Процессы температурного тушения фотолюминесценции в нанопорошке h-BN / Хинайш А.М.А., Вохминцев А.С., Спиридонов Д.М., Вайнштейн И.А. // Тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2016). (Екатеринбург: УрФУ). - 2016. - С. 245