Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА

Работа №102108

Тип работы

Диссертации (РГБ)

Предмет

физика

Объем работы119
Год сдачи2016
Стоимость4330 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
105
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 5
ГЛАВА 1 ХАРАКТЕРИСТИКА СВОЙСТВ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО
НИТРИДА БОРА (литературный обзор) 13
1.1 Дефекты в структурах нитрида бора 13
1.1.1. Параметры кристаллической решетки BN 13
1.1.2. Способы получения структур на основе BN 17
1.1.3. Виды дефектов в структурах h-BN 19
1.2 Физико-химические свойства гексагонального нитрида бора 23
1.3 Люминесцентные свойства в структурах нитрида бора 26
1.4 Выводы 32
ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ, ОБРАЗЦЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ 34
2.1 Используемое оборудование 34
2.1.1 СЭМ Carl Zeiss Sigma VP 34
2.1.2 XPert PRO MPD 34
2.1.3 Спектрометр Renishaw 1000 34
2.1.4 Катодолюминесцентный анализатор КЛАВИ 35
2.1.5 Спектрометр LS 55 с высокотемпературной приставкой 35
2.2 Объекты исследования 36
2.2.1 Анализ типа химической связи в соединении 36
2.2.2 PECVD порошок h-BN 38
2.2.3 Нанопорошок h-BN 41
2.2.4 Анализ структуры исследуемых образцов 42
2.3 Используемые экспериментальные методики 45
2.3.1 Измерение спектров диффузного отражения 45
2.3.2 Измерение спектров катодолюминесценции 45
2.3.3 Измерение спектров фотолюминесценции 45
2.3.4 Измерение спектрально-температурных зависимостей
люминесценции 46
2.3.5 Изучение температурного тушения 47
2.4 Расчетные методы анализа 47
2.4.1 Анализ спектров диффузного отражения 48
2.4.2 Фото- и катодолюминесценция 49
2.4.3 Термолюминесценция 49
2.4.4 Температурное тушение 50
2.5 Комплекс проведенных измерений 51
2.6 Выводы 51
ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ И ИДЕНТИФИКАЦИЯ
ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОРОШКАХ й-ВИ 55
3.1 Спектры диффузного отражения 55
3.2 Исследование катодолюминесценции в й-ВИ 59
3.3 Фотолюминесценция в наноструктурированных порошках й-ВИ 61
3.4 Идентификация полос свечения 69
3.5 Выводы 69
ГЛАВА 4 КИНЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И МЕХАНИЗМЫ
ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ 72
4.1 Спектрально-кинетические характеристики термолюминесценции 72
4.1.1 Спектры возбуждения ТЛ 72
4.1.2 Спектры свечения ТЛ 79
4.1.3 Идентификация полос свечения ТЛ 84
4.2 Зонная модель исследуемых люминесцентных процессов 86
4.3 Температурное тушение фотолюминесценции в порошах Ь-ВИ 89
4.3.1 Температурные зависимости интенсивности ФЛ в порошке П1 89
4.3.2 Температурные зависимости интенсивности ФЛ в порошке П2 97
4.4 Выводы 100
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 103
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ 106
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 107

Актуальность темы исследования и степень ее разработанности
Гексагональный нитрид бора (h-BN) является широкозонным материалом с графитоподобной структурой, который может существовать в разнообразных морфологических формах (микро- и наноразмерные монокристаллы, порошок, листы, ленты, тубулярные массивы и т. д). Известно, что энергетическая щель h-BN может варьироваться в пределах от 3.5 до 6.5 эВ в зависимости от способа синтеза, примесного состава, условий последующей обработки, турбостратности и др., что делает его перспективным объектом для оптоэлектронных, люминесцентных и дозиметрических технологий, в том числе при создании эмиттерных и детекторных сред в области излучения УФ- и видимого диапазонов. Множество структурных типов, разнообразие собственных точечных нарушений в анионной и катионной подрешетках в сочетании с варьируемой нестехиометрией, низкий порог образования примесных дефектов с набором не-скольких зарядовых состояний, изменение в широких пределах индекса графитизации представляют собой большой комплекс взаимосвязанных факторов, которые влияют на оптические и люминесцентные свойства гексагонального нитрида бора. В этой связи для выяснения механизмов излучательной и безызлучательной релаксации возбуждений в h-BN необходимо решить целый ряд фундаментальных задач физики конденсированного состояния.
В последние 10 лет исследовательский интерес к структурам на основе h-BN вырос благодаря тому, что он стабилен в 20-форме и является бинарным аналогом графена. На Рисунке В.1 показано число публикаций в период 1950 - 2016 гг. по данным международной базы цитирования SCOPUS, в которых изучались различные физико-химические свойства h-BN. Видно, что с 2010 года наблюдается увеличение, которое коррелирует с резким ростом количества статей по графену. Штриховой линией отмечен 2010 год, когда была вручена Но-белевская премия по физике А. Гейму и К. Новоселову за новаторские эксперименты по исследованию двумерной модификации углерода.
Зависимости построены по данным из открытых источников (www.scopus.com)
Тем не менее до сих пор известно недостаточно работ, посвященных изучению термостимулированных особенностей в процессах люминесценции гексагонального нитрида бора. Кроме того, имеется очень мало данных о спектральном со-ставе термолюминесценции и обоснованной идентификации соответствующих ловушек в й-ВК. Такая информация позволит определить микропараметры и возможную структуру энергетических уровней в запрещенной зоне, которые обусловлены дефектами различной природы и связаны с активными центрами захвата и рекомбинации носителей заряда.
Таким образом, учитывая известные результаты исследований оптических свойств широкого круга структур на основе гексагонального нитрида бора различной размерности и примесного состава, можно сформулировать вопросы, которые остаются нерешенными: недостаточно изучены фундаментальные закономерности и спектрально-кинетические характеристики процессов термостимулированной люминесценции с участием электронных и дырочных уровней в запрещенной зоне собственной и примесной природы; окончательно не сформулированы согласованные зонные модели для качественного и количественного описания механизмов поведения метастабильных уровней захвата и рекомбинации носителей заряда в процессах термостимулированного свечения. Изучение указанных проблем является актуальной задачей физики конденсированного состояния, поскольку позволит расширить имеющиеся представления о роли дефектов кристаллической решетки в формировании оптических и люминесцентных свойств широкозонных нитридных материалов. Полученные данные будут полезны также с точки зрения практического использования, так как помогут обосновать оптимизацию режимов и модификации для существующих методик направленного синтеза гексагонального нитрида бора с заданной структурой энергетических уровней в запрещенной зоне и улучшенными оптико-люминесцентными характеристиками.
С учетом состояния научных исследований закономерностей термостимулированных процессов в люминесценции гексагонального нитрида бора были сформулированы цель и задачи настоящей диссертационной работы.
Цель и задачи исследования
Целью работы является анализ температурных зависимостей и спек-трально-кинетических характеристик люминесценции ультрадисперсных по-рошков гексагонального нитрида бора при различных видах возбуждения, а также количественная оценка энергетических параметров оптически активных дефектных центров собственной и примесной природы.
Для достижения указанной цели были поставлены следующие задачи изучения наноструктурированных порошков й-БИ:
1 Исследовать оптические и люминесцентные свойства при катодо- и фотовозбуждении, выполнить оценку ширины запрещенной зоны Eg;
2 Проанализировать спектральный состав и особенности кинетики тер-мостимулированной люминесценции после воздействия УФ-излучением в диапазоне 6.2 - 3.5 эВ;
3 Оценить энергетические параметры центров свечения и захвата, ответственных за формирование ТЛ-отклика после УФ-возбуждения;
4 Изучить закономерности процессов температурного тушения фото-люминесценции в УФ- и видимой областях спектра в диапазоне RT - 800 К.
Научная новизна
В настоящей работе большинство экспериментальных результатов анализа термолюминесцентных зависимостей было получено впервые.
1 С использованием современных методов спектрально-разрешенной термолюминесценции определены основные эмиссионные полосы, характеризующие ТЛ отклик гексагонального нитрида бора после УФ-воздействия в диапазоне температур RT - 800 K. Измерены спектры УФ-возбуждения ТЛ и про-анализированы их особенности, связанные с собственными и примесными дефектными центрами.
2 Показано, что активными люминесцирующими центрами в нано- структурированных порошках h-BN при протекании процессов термостимулированного свечения являются технологические примеси кислорода и углерода, а также собственные дефектные центры на основе азотных вакансий. Выполнена комплексная идентификация связи выделенных полос эмиссии и возбуждения с конкретными точечными дефектами.
3 Впервые для наноструктурированных порошков гексагонального нитрида бора, подвергнутых воздействию УФ-излучения, получены количественные данные о параметрах кинетики ТЛ процессов и энергии активации центров захвата носителей заряда.
4 Впервые температурные зависимости ФЛ в диапазоне КТ - 800 К для мезографитных порошков гексагонального нитрида бора количественно про-анализированы в рамках формализмов Мотта и Стрита, которые реализуются в твердых телах с различным типом преобладающего атомного разупорядочения. Получены оценки энергии активации безызлучательных каналов релаксации возбуждений в предположении доминирования внешних термоактивационных механизмов температурного тушения ФЛ.
Теоретическая и практическая значимость
Гексагональный нитрида бора, прежде всего в 2В-форме и в наноструктурированном состоянии, имеет хорошие перспективы для применений в качестве функциональной среды новых элементов опто- и наноэлектроники. Результаты исследований оптико-люминесцентных свойств указанных объектов, представленные в диссертационной работе, имеют несомненную практическую ценность для разработки режимов направленного синтеза наноструктур на основе й-ВП с заданными эмиссионными характеристиками.
Полученные результаты о влиянии точечных структурных нарушений и о высокотемпературных особенностях люминесцентной активности й-ВП могут быть использованы для дальнейших систематических исследований в области получения, легирования и изучения свойств неуглеродных слоистых нано-структур.
Методология и методы исследования
Объектом изучения в настоящей диссертационной работе являлись ультрадисперсные порошки гексагонального нитрида бора. Для образцов был выполнен комплекс экспериментальных исследований на основе взаимодополняющих методик оптической, термо-, катодо- и фотолюминесцентной спектроскопии. Анализ процессов возбуждения и эмиссии термолюминесценции с не-обходимым спектральным разрешением позволил получить новые данные об энергетической структуре центров захвата в запрещенной зоне и оценить кинетические параметры термостимулированных механизмов свечения в порошках h-BN.
Защищаемые положения
1 Термолюминесцентный отклик в диапазоне 300 - 400 К наноструктурированных порошков h-BN с шириной запрещенной зоны Eg> 5.4 эВ формируется ловушками с энергией активации Ea= 0.6 _ 0.8 эВ, которые обусловлены центрами на основе азотных вакансий и активно заполняются при комнатной температуре под воздействием монохроматического УФ-излучения.
2 В спектральном составе термолюминесценции наноструктурированных порошков h-BN доминируют полосы свечения в диапазоне 3.0 - 3.9 эВ, обусловленные рекомбинационными процессами с участием энергетических уровней дырочных центров углерода внутри запрещенной зоны.
3 Процессы температурного тушения фотолюминесценции 3.0 - 3.9 эВ в диапазоне RT - 800 K в мезографитных наноструктурированных порошках h- BN протекают по внешнему термоактивационному механизму с одним или двумя каналами безызлучательной релаксации возбуждений, для которых характерны значения энергии активации Eq= 0.25 и 0.8 эВ.
Степень достоверности и апробация результатов
Защищаемые научные положения и выводы базируются на результатах проведенных экспериментов и выполненных расчетов, достоверность которых была обеспечена использованием комплекса апробированных спектроскопических методик и аттестованного оборудования по экспериментальному изучению спектров диффузного отражения, катодо-, фото-, термолюминесценции в конденсированных средах, применением компьютерных программ статистической обработки полученных массивов данных, анализом погрешностей измерений.
Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на следующих конференциях: 17-th International Conference on Solid State Dosimetry (Recife, Brazil, 2013); XIV и XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-14, СПФКС-15, Екатеринбург, 2013, 2014); 12-th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials. (EURODIM, Canterbury, England, 2014); I, II и III Международная молодежная научная конференция, Физика Технологии Инновации. (Екатеринбург, 2014, 2015 и 2016); 9-th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR, Tartu, Estonia, 2015); 5-th International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical (5th IWASOM, Gdansk, Poland, 2015); 11-th International Conference on Nuclear Sciences and Applications (ESNSA-11, Hurgada, Egypt, 2016).
Работа выполнена на кафедре Физических методов и приборов контроля качества Физико-технологического института УрФУ и в лабораториях Научно-образовательного центра «Наноматериалы и нанотехнологии» при поддержке Программы повышения конкурентоспособности УрФУ среди ведущих мировых университетов и Программы развития УрФУ (подзадача «Проведение научных исследований аспирантами и магистрантами»).
Публикации
Результаты исследований изложены в 3 статьях, опубликованных в рецензируемых научных журналах, рекомендованных ВАК РФ для публикации результатов кандидатских диссертаций, 2 статьях в сборниках и материалах конференций, 10 тезисах докладов международных и российских научных конференций.
Личный вклад автора
Для измерений 3D зависимостей спектрально-разрешенной термостимулированной люминесценции в диссертации использовался оригинальный экспериментальный комплекс, разработанный доцентом кафедры Физических методов и приборов контроля качества ФТИ, с.н.с. НОЦ НАНОТЕХ УрФУ, к.ф.-м.н. Вохминцевым А.С. Аттестация образцов с использованием Рамановской спектроскопии выполнена старшим научным сотрудником Центра коллективного пользования «Состав вещества» Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН, к.т.н. Вовкотруб Э.Г. Рентгеноструктурный анализ проведен доцентом кафедры Теоретической физики и прикладной математики ФТИ УрФУ, к.ф.-м.н. Чукиным А.В. Часть исследований нанопорошка h-BN (Hongwu Intl. Ltd., Гонконг) методом растровой электронной микроскопии выполнены совместно с доцентом кафедры «Термообработка и физика металлов» ИММт УрФУ, к.т.н. Карабаналовым М.С.
Определение цели и задач диссертационной работы, обоснование природы центров наблюдаемого свечения, формулировка выводов и защищаемых положений выполнены совместно с научным руководителем. Автором проведены все оптические и люминесцентные измерения, для которых выполнены обработка и анализ результатов эксперимента, расчет кинетических параметров и интерпретация полученных данных.
Структура и объем диссертационной работы
Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Объем - 119 страниц текста, включая 46 рисунков, 20 таблиц и список литературы, содержащий 119 источников.


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


В настоящей диссертационной работе проведено комплексное экспериментальное исследование спектрально-кинетических закономерностей люминесценции и термостимулированных процессов в ультрадисперсных порошках гексагонального нитрида бора и получены следующие основные результаты:
1 В рамках анализа спектров диффузного отражения изучены оптические свойства наноструктурированных порошков й-БК. В предположении прямых разрешенных переходов рассчитаны значения ширины запрещенной зоны Бё = 5.4 - 5.5 эВ. Показано, что полученные оценки хорошо согласуются с известными литературными данными.
2 Обнаружено, что для спектров возбуждения ФЛ характерны зависимости с четырьмя пиками: 5.8 эВ (215 - 220 нм), 5.3 эВ (234 нм), 4.96 эВ (250 нм) и
4.6 эВ (270 нм). Сравнение полученных данных с результатами по оптическому поглощению и с результатами независимых исследований показало, что компоненты > 5.4 эВ обусловлены межзонными переходами. Наблюдаемые полосы с энергиями максимумов < 5 эВ могут быть связаны с прямым возбуждением электронов из валентной зоны на уровни захвата в запрещенной зоне.
3 Установлено, что в спектрах люминесценции исследуемых наноструктурированных порошков наблюдаются полосы свечения с близкими характеристиками при различных видах стимуляции. В спектрах КЛ, ФЛ и ТЛ регистрируется компонента I: 2.82 - 3.00 эВ. Компоненты II (3.05 - 3.14 эВ), III (3.27 - 3.45 эВ) и IV (3.67 - 3.89 эВ) наблюдаются в ходе термо- и фотолюминесценции. С учетом данных из независимых источников, показано, что указанные максимумы свечения обусловлены, главным образом, процессами рекомбинации с участием центров, уровни которых образованы примесями кислорода Оы и углерода Сы, а также вакансиями азота Уы различных типов.
4 При анализе спектрально-температурных характеристик люминесценции УФ-облученных порошков й-БК показано, что в спектральном составе ТЛ максимума при Тм = 350 К присутствуют полосы Хэ = 390 нм (3.18 эВ) и Хэ = 335 нм (3.7 эВ). Установлено, что наблюдаемый в диапазоне 300 - 400 К ТЛ-отклик формируется за счет опустошения активной ловушки на основе одноборного Уы-центра. Наблюдаемые ТЛ процессы проанализированы в рамках формализма кинетики общего порядка, рассчитаны значения энергии активации Еа = 0.6 - 0.8 эВ.
5 Полученные результаты с учетом независимых литературных данных были обобщены в виде зонных схем энергетических уровней. Показано, что в рамках единой зонной диаграммы могут быть успешно интерпретированы экспериментально наблюдаемые спектры возбуждения и эмиссии фото- и термо-люминесценции исследуемых ультрадисперсных порошков й-ВН Полосы воз-буждения с энергиями > 5.4, 4.0-4.3, 4.6, 5.0 и 5.3 эВ обусловлены межзонными переходами и переходами Сы ^ ЗП, ВЗ ^ УЫ3, ВЗ ^ УЫ1, ВЗ ^ Оы соответственно. Компоненты 3.9, 3.0-3.1 и 3.6-3.7 эВ в спектрах свечения могут быть приписаны рекомбинационным процессам с участием примесных центров Сы.
6 Продемонстрировано, что зависимости температурного тушения ФЛ в наноструктурированных порошках й-ВЫ с высокой точностью аппроксимируются в рамках известных соотношений Мотта и Стрита. Показано, что наблюдаемые процессы могут быть описаны в рамках моделей с одним или двумя каналами безызлучательной релаксации. Показано, что использование модели Мотта для исследуемых порошков й-ВЫ дает хорошо согласованные и физически обоснованные значения модельных параметров, в отличие от соотношения Стрита. Сделан вывод о наличии внешних термоактивированных механизмов тушения интенсивности ФЛ гексагонального нитрида бора в диапазоне температур КТ - 800 К. Установлено, что каналы безызлучательной релаксации возбуждений в изучаемых порошках имеют энергии активации 1у = 0.25 ± 0.03 и 0.8 ± 0.05 эВ, которые соответствуют термической глубине электронных ловушек на основе Оы- и Уы-центров.
7 Сформулированы перспективы дальнейшей разработки темы исследования. Полученные результаты о влиянии точечных структурных нарушений и о высокотемпературных особенностях люминесцентной активности й-БК могут быть использованы для дальнейших систематических исследований в области получения, легирования и изучения свойств неуглеродных слоистых нано-структур.



1 Korsaks V. Luminescence processes in different structured boron nitride materials / summary of doctoral thesis, promotion to the degree of doctor of physics, subbranch: solid state physics / Valdis Korsaks. - Riga, 2012
2 Реаsе R.S. Crystal structure of boron nitride / Pease R.S. // Nature. - 1950. -
V. 165. - № 4201. - 722-723
3 Реаsе R.S. An X-ray study of boron nitride / Pease R.S. // Acta Crystallographica.
- 1952. - V. 5. - № 3. - P. 356-361
4 Wcntúrf R.H. Cubic form of boron nitride / Wentorf R.H. // The Journal of Chem-ical Physics. - 1957. - V. 26. - P. 956-957
5 Neuhaus A. Die Synthese des Diamanten II / Neuhaus A., Meyer H.J. // Angewandte Chemie. - 1957. - V. 69. - № 17. - P. 551-557
6 Wcntürf R.H. Preparation Of Semiconducting Cubic Boron Nitride / Wentorf R.H. // Journal of Chemical Physics. - 1962. - V. 36. - № 8. - P. 1990-1991
7 Ilcroid A. Preparation et structure du nitrure bore / Herold A., Marzluf B., Pério P.// The Comptes Rendus de l'Academie Bulgare des Sciences. - 1958. - V. 246. - P. 1866-1872
8 Брегер А.Х. О xuMnuecKon связи в графита и HUTpuge бора / Bperep А.Х., Жданов Г.С. // ДАН СССР. - 1940. - № 28. - С. 630-637
9 Самсонов Г.В. Нитриды / Самсонов Г.В. - Kuee: Наукова Думка, 1969. - 380 с.
10 Пат. 1135232 Соединенные Штаты Америки, US1135232 A. Process of making boron nitrid [TeKCT] / Weintraub G.; зaявитeль и naтeнтooблaдaтeль Gen-eral Electric Company; приор. 03.02.1913, опубл. 13.04.1915
11 Пат. 2865715 Соединенные Штаты Америки, US2865715 A. Manufacture of boron compounds [TeKCT] / Kamlet J.; зaявитeль и пaтeнтooблaдaтeль National Distillers and Chemical Corporation; приор. 03.03.1955, опубл. 23.12.1958
12 Пат. 2163562 Российская Федерация, RU 2163562 C1. Способ пoлучeния графитоподобного нитрида бора [TeKCT] / Боровинская И.П., Мepжaнoв А.Г., Хуртина Г.Г.; заявитель и патентообладатель Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН. - № 99114720/12; приор. 07.07.1999, опубл. 27.02.2001
13 Alexander A. Nitride Ceramics: Combustion Synthesis, Properties and Applica-tions / A. Alexander, A. Gromov, L. Chukhlomina. Wiley VCH, 2014. 358 p.
14 Чухломина Л.Н. Синтез нитридов элементов III - VI групп и композиционных материалов на их основе азотированием ферросплавов в режиме горения / дис. д-ра техн. наук: 05.17.11 / Чухломина Людмила Николаевна. - Томск, 2009. - 373 с.
15 Пат. 4971779 Соединенные Штаты Америки, US4971779 A. Process for the pyrolytic conversion of a polymeric precursor composition to boron nitride / Paine R.T., Jr., Narula C.K.; заявитель и патентообладатель University Of New Mexico; приор. 17.02.1989, опубл. 20.11.19908
16 Kalyoncu R.S. High-purity, fine-particle boron nitride powder synthesis at -75 to 750 degrees C / R. Kalyoncu // Tuscaloosa, AL: U.S. Department of the Interior, Bu-reau of Mines, RI 9012. - 1986. - P. 1-9
17 Eugene A. Aerosol Assisted Vapor Synthesis of Spherical Boron Nitride Powders / Eugene A. [et al.] // Chemistry of Materials. - 2000. - V. 12. - P. 19-21
18 Matsuda T. Synthesis and structure of chemically vapour-deposited boron nitride / Matsuda T., Uno N., Nakae H.// Journal of materials science. - 1986. - V. 21. - P. 649-658
19 Yumeng S. Synthesis of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Thin Film by Chemical Vapor Deposition / Yumeng S. [et al.] // Nano Letters. - 2010. - V.10. - P. 4134-4139
20 Zhang C. Controllable Co-segregation Synthesis of Wafer-Scale Hexagonal Bo¬ron Nitride Thin Films / Zhang C. [et al.] // Advanced Materials. - 2014. - V.26. - P. 1776-1781
21 TaniguchiT. Synthesis of high-purity boron nitride single crystals under high pressure by using Ba-BN solvent / Taniguchi T., Watanabe K.// Journal of Crystal Growth. - 2007. - V.303. - P. 525-529
22 Zhigadlo N.D. Crystal growth of hexagonal boron nitride (hBN) from Mg-B-N solvent system under high pressure / Zhigadlo N.D. // Journal of Crystal Growth. -
2014. - V.402. - P. 308-311
23 Kaneko J. Development of a radiation detector made of a cubic boron nitride pol-ycrystal / Kaneko J. [et al.] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - 2007. - V.576. - P. 417-421
24 Tian Y. Ultrahard nanotwinned cubic boron nitride / Tian Y. [et al.] // Nature. -
2013. - V. 493. - P. 385-388
25 Bernard S. Nanostructured and architectured boron nitride from boron, nitrogen and hydrogen-containing molecular and polymeric precursors / Bernard S., Miele P. // Materials Today. - 2014. - V.17. - P. 443-450
26 Lee C. Synthesis of boron nitride nanotubes by arc-jet plasma / Lee C. [et al.] // Current Applied Physics. - 2006. - V.6. - P. 166-170
27 Fengqiu J. Mechanosynthesis of Boron Nitride Nanotubes / Fengqiu J. [et al.] // Chinese Journal of Chemical Engineering. - 2006. - V.14. - P. 389-393
28 Jin C. Fabrication of a Freestanding Boron Nitride Single Layer and Its Defect Assignments / Jin C. [et al.] // Physical Review Letters. - 2009. - V.102. - P. 195505
29 Miyamoto Y. Spectroscopic characterization of Stone - Wales defects in nano-tubes / Miyamoto Y. [et al.] // Physical Review B. - 2004. - V.69. - P. 121413 - 1-4
30 Katzir A. Point defects in hexagonal boron nitride. I. EPR, thermoluminescence, and thermally - stimulated - current measurements / Katzir A. [et al.] // Physical Re¬view B. - 1975. - V.11. - P. 2370-2377
31 Zung A. Point defects in hexagonal boron nitride. II. Theoretical studies / Zung A., Katzir A. // Physical Review B. - 1975. - V.11. - P. 2378-2381
32 E. Y. Andrei Point defects in hexagonal boron nitride. III. EPR in electron - irra-diated BN / E. Y. Andrei, A. Katzir, J. T. Suss // Physical Review B. - 1976. - V.13. - P. 2831-2835
33 У. Д. Джузеев Спектры Фотолюминесции Нитрида бора, Активированного Некоторыми Элементами / У. Д. Джузеев, П.Е. Рамазанов // Известия Высших Учебных Заведений. - 1969. - V.7. - P. 81-85
34 T. B. Ngwenya Defect states of complexes involving a vacancy on the boron site in boronitrene / T. B. Ngwenya, A. M. Ukpong, N. Chetty// Physical Review B. - 2011. - V.84. - P. 245425 - 1-12
35 C. Attaccalite Coupling of excitons and defect states in boron - nitride nanostruc-tures / C. Attaccalite [et al.] // Physical Review B. - 2011. - V.83. - P. 144115
36 W. Orellana Stability of native defects in hexagonal and cubic boron nitride /
W. Orellana, H. Chacham // Physical Review B. - 2001. - V.63. - P. 125205
37 S. N. Grinyaev Deep Levels of Nitrogen Vacancy Complexes in Graphite - like Boron Nitride / S. N. Grinyaev, F. V. Konusov , V. V. Lopatin // Physics of the Solid State. - 2002. - V.44. - P. 286-293
38 С.Н. Гриняев Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов / С.Н. Гриняев, Ф.В. Конусов, В.В. Лопа-тин, Л.Н. Шиян // Физика твердого тела. - 2004. - Т. 46. - № 3. - C. 424-429
39 B. Zhong A facile route to high - purity BN nanoplates with ultraviolet cathodo-luminescence emissions at room temperature / B. Zhong, [et al.] // Materials Research Bulletin. - 2014. - V. 53. - P. 190-195
40 D. Qiu Investigation on the microstructure and optical properties of c-axis orient¬ed nanocrystalline hexagonal BN films fabricated by hot-filament chemical vapor deposition / D. Qiu // Thin Solid Films. - 2005. - V. 484. - P. 90-93
41 X. Zhang Effects of carbon and oxygen impurities on luminescence properties of BCNO phosphor / X. Zhang, [et al.] // Journal of the American Ceramic Society. -
2014. - V. 97. - P. 246-250
42 C. Zhi Novel Boron Nitride Hollow Nanoribbons / C. Zhi, [et al.] // ACS Nano. -
2008.- V. 2. - P. 2183-2191
43 D. Evans Determination of the optical bandgap energy of cubic and hexagonal bo-ron nitride using luminescence excitation spectroscopy / D. Evans, [et al.] // Journal of Physics Condensed Matter. - 2008. - V. 20. - P. 075233 - 1-7
44 H. Nersisyan Thermally induced formation of 2D hexagonal BN nanoplates with tunable characteristics / H. Nersisyan, [et al.] // Journal of Solid State Chemistry. -
2015. - V. 225. - P. 13-18
45 C. Tang Boron-oxygen luminescence centres in boron-nitrogen systems / C. Tang, Y. Bando, C. Zhi, D. Golberg // Chem. Commun. - 2007. - V. 44. - P. 4599-4601
46 L. Museur Photoluminescence of hexagonal boron nitride: Effect of surface oxidation under UV-laser irradiation / Luc Museur, Demetrios Anglos, Jean-Pierre Petitet, Jean-Pierre Michel, Andrei V. Kanaev // Journal of Luminescence. - 2007. - V. 127. - P. 595-600
47 Y. Kobayashi Hexagonal boron nitride grown by MOVPE / Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto // Journal of Crystal Growth. - 2008. - V. 310. - P. 5048-5052
48 O. Tsuda Crystallization of hexagonal boron nitride exhibiting excitonic lumines-cence in the deep ultraviolet region at room temperature via thermal chemical vapor phase deposition / O. Tsuda, K. Watanabe, T. Taniguchi // Diamond & Related Mate-rials. - 2010. - V. 19. - P. 83-90
49 L. Liu X-ray excited optical luminescence from hexagonal boron nitride nano-tubes: Electronic structures and the role of oxygen impurities / L. Liu [et al.] // ACS Nano. - 2011. - V. 5. - P. 631-639
50 A.G. McGlynn Optical and X-ray Spectroscopy of Wide Band Gap Semiconduc-tors and Organic Thin Films / thesis in cand. philosophiae doctor / Andrew G. McGlynn. -2010. - 234 p.
51 B. Berzina Exciton luminescence of boron nitride nanotubes and nanoarches / B. Berzina [et al.] // physica status solidi (b). - 2006. - V. 243. - P. 3840-3845
52 V. Korsaks Influence of air, oxygen, nitrogen and argon on 400 nm luminescence in hexagonal boron nitride / V. Korsaks, B. Berzina, L. Trinklere // Latvian journal of physics and technical sciences. - 2012. - V. 49. - P. 57-61
53 M.-S. Jin Photoluminescence of Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Film / M.-S. Jin, N.-O. Kim // Journal of Electrical Engineering & Technology. - 2010. - V. 5. - № 4. - P. 637-639
54 Henaish A.M.A. Spectrally resolved thermoluminescence measurements in fluo-rescence spectrometer / Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Henaish A.M.A., Weinstein I.A. // Measurement. - 2015. - V. 66. - P. 90-94
55 Вохминцев А. С. Высокотемпературная приставка для измерения спек-тральных характеристик термолюминесценции / Вохминцев А.С., Минин М.Г., Чайкин Д.В., Вайнштейн И.А. // Приборы и техника эксперимента. - 2014. - №3. - С. 139
56 В.И. Фистуль Физика и химия твердого тела / В.И. Фистуль Учебник для вузов. - Москва: Металлургия, 1995. - 480 с.
57 Краснокутский Ю.И. Получение тугоплавких соединений в плазме / Краснокутский Ю.И., Верещак В.Г. - К.: Вища школа, 1987. - 200 с.
58 R. Gao High-yield synthesis of boron nitride nanosheets with strong ultraviolet cathodoluminescence emission / R. Gao [et al.] // Journal of Physical Chemistry C. -
2009.- V.113. - P. 15160-15165.
59 M. Shtein Graphene-Based Hybrid Composites for Efficient Thermal Manage¬ment of Electronic Devices / M. Shtein, R. Nadiv, M. Buzaglo, O. Regev // ACS Ap¬plied Materials & Interfaces. - 2015. - V. 71. - P. 205201 - 1-12.
60 S. Reich Resonant Raman scattering in cubic and hexagonal boron nitride / S. Reich, A.C. Ferrari // Physical Review B. - 2005. - V. 71. - P. 205201 - 1-12.
61 R. V. Gorbachev Hunting for Monolayer Boron Nitride: Optical and Raman Sig-natures / R. V. Gorbachev [et al.] // Small. - 2011. - V. 7. - P. 465-468
62 R. Arenal Raman Spectroscopy of Single-Wall Boron Nitride Nanotubes /
R. Arenal [et al.] // Nanoletters. - 2006. - V. 6. - № 8. - P. 1812-1816
63 J. Thomas Turbostratic boron nitride: Thermal transformation to ordered-layer lattice boron nitride / J. Thomas, N. E. Weston, T. E. O'Connor // Journal of the American Chemical Society. - 1962. - V.84. - № 24. - P. 4619-4622
64 Г. Кортюм Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения / Г. Кортюм, В. Браун, Г. Герцог // Успехи Физических Наук. - 1965. - Т. 85. - В. 2. - С. 365-380
65 T. Eickhoff Diffuse reflectance spectroscopy of powders / T. Eickhoff, W. Theiss // Vibrational Spectroscopy. - 1990. - V. 1. - P. 229-233
66 Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников / М. ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 560 с.
67 Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников / М.: Мир, 1977. - 678 с.
68 Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров / Гурвич А.М. Учебное пособие для втузов. М. «Высшая школа», 1971. 336 с.
69 R. Chen Theory of Thermoluminescence and Related Phenomena / R. Chen,
S. W.S. McKeever. Singapore: World Scientific Publishing Co., 1997. 576 p.
70 Кюри Д. Люминесценция кристаллов / Кюри Д. М. Издательство иностранной литературы, 1961. 200 c.
71 Street R.A. Luminescence in Amorphous Semiconductors / Street R.A. // Advances in Physics 1976. - V. 25. - № 4. - P. 397-454
72 H. Chen Light emission and excitonic effect of boron nitride nanotubes observed by photoluminescent spectra / H. Chen [et al.] // Optical Materials. - 2007. - V. 29. - P. 1295-1298
73 X. Z. Du The origin of deep-level impurity transitions in hexagonal boron nitride /X. Z. Du [et al.] // Applied Physics Letters. - 2015. - V. 106. - P. 021110 - 1-4
74 A. Zunger Point, defects in hexagonal boron nitride. II. Theoretical studies /
A. Zunger, A. Katzir // Physical Review B. - 1975. - V.11. - № 6. - P. 2378-2389
75 J. S. Lauret Optical Transitions in Single-Wall Boron Nitride Nanotubes/ J. S. Lauret [et al.] // Physical Review Letters. - 2005. - V. 94. - P. 037405
76 A. Zunger Optical Properties of hexagonal boron nitride / A. Zunger, A. Katzir, A. Halper // Physical Review B. - 1976. - V.13. - P. 5560-5573
77 S.P.S. Arya Preparation, properties and applications of boron nitride thin films / S.P.S. Arya, A. D'Amico // Thin Solid Films. - 1988. - V.157. - P. 267-282
78 V.L. Solozhenko Bandgap energy of graphite-like hexagonal boron nitride / V.L. Solozhenko [et al.] // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2001. - V.62. - P. 1331-1334
79 T. Oku Atomic structures and properties of boron nitride nanomaterials / T. Oku,
A. Mendez-Vilas, J. Diaz // Microscopy Science Technology Applications and Edu-cation. - 2010. - V.12. - P. 1630-1641
80 A. Nayak Inversion of the Electrical and Optical Properties of Partially Oxidized Hexagonal Boron Nitride / A. Nayak [et al.] // NANO: Brief Reports and Reviews. - 2014. - V.9. - P. 1450002 - 1-12
81 R. Arenal Electron Energy Loss Spectroscopy Measurement of the Optical Gaps on Individual Boron Nitride Single-Walled and Multiwalled Nanotubes / R. Arenal [et al.] // Physical Review Letters. - 2005. - V.95. - P. 127601 - 1-4
82 В.А. Фомичев Рентгеновские спектры и энергетические схемы BeO и BN /
B. А. Фомичев // Физика Твердого Тела. - 1971. - В.13 - С. 907-911
83 М.Б. Хусибман Некоторые особенности гексагонального нитрида бора / М.Б. Хусибман // Физика Твердого Тела. - 1973. - В.11 - С. 507-509
84 M.J. Rand Preparation and Properties of Thin Film Boron Nitride / M.J. Rand, J.F. Roberts // Journal of the Electrochemical Society. - 1968. - V.115 - P. 423-429
85 J. Zupan Optical properties of graphite and boron nitride / J. Zupan, D. Kolar // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1972. - V.5 - P. 3097-3100
86 S.N. Savostina, V.B. Tulvinsky, A.A. Guzhov. Proceedings of VII Ural Confer-ence on Spectroscopy (IFM UHTs AN SSSR, Sverdlovsk, USSR), 1971, pp. 189-191 (in Russian)
87 D. M. Hoffman Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05-10 eV / D. M. Hoffman [et al.] // Physical Review B. - 1984. - V.30 - P. 6051-6056
88 S. Larach Multiband Luminescence in Boron Nitride / S. Larach [et al.] // Physi¬cal Review. - 1956. - V.104 - P. 68-73
89 W. Baronian The optical properties of thin boron nitride films / W. Baronian // Materials Research Bulletin. - 1972. - V.7. - P. 119-124
90 A.I. Lukomskii Luminescence properties of graphite-like boron nitride / A.I. Lu- komskii [et al.] // Journal of applied spectroscopy. - 1993. - V.57 - P. 607-610
91 L.G. Carpenter The electrical resistivity of boron nitride over the temperature range 700°C to 1400°C / L.G. Carpenter [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 1982. - V.15 - P. 1143-1151
92 Хинайш A.M.A. Влияние способа синтеза на люминесцентные свойства порошков гексагонального нитрида бора / Минин М.Г., Хинайш А.М.А., Гурлова Н. А., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Материалы Двадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20, Ижевск). - 2014. - С. 313 - 314
93 Henaish A.M.A. Comparative study of luminescent properties in h-BN mi-cropowders synthesized by plasma chemical and carbamide techniques / Minin M.G., Henaish A.M.A., Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Kartashov V.V. // 12-th Euro-physical Conference on Defects in Insulating Materials. (EURODIM). (Canterbury, England). - 2014. - P-THU-71
94 Henaish A.M.A. Luminescence properties of h-BN powder synthesized by PECVD technique / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015). (Tartu, Estonia). - 2015. - P. 169
95 Henaish A.M.A. Влияние высокотемпературного отжига на фотолюминесцентные свойства порошков h-BN / Henaish A.M.A., Минин М.Г., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А., Гурлова Н.А., Карташов В.В. // XIV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества СПФКС-14. (Екатеринбург: ИФМ УрО РАН). - 2013. - С. 249
96 C. Zhi Self-Assembly and Cathodoluminescence of Microbelts from Cu-Doped Boron Nitride Nanotubes / C. Zhi, [et al.] // ACS Nano. - 2008. - V. 2. - P. 1523¬1532
97 C. Zhi Phonon characteristics and cathodolumininescence of boron nitride nano-tubes / C. Zhi, Y. Bando, C. Tang, D.Golberg, R. Xie, T. Sekigushi // Applied Phys¬ics Letters. - 2005. - V. 86. - P.25-37
98 H. Chen Cathodoluminescence of boron nitride nanotubes doped by ytterbium / H. Chen, Y.Chen, Y. Liu // Journal of Alloys and Compounds. - 2007. - V. 504. - P. 353-355
99 G. Kitis Properties of thermoluminescence glow curves from tunneling recombi-nation processes in random distributions of defects / G. Kitis, V. Pagonis // Journal of Luminescence. - 2014. - V. 153. - P. 118-124
100 J. F. de Lima Thermally assisted tunneling: An alternative model for the ther-moluminescence process in calcite / J. F. de Lima, M. E. G. Valerio, E. Okuno // Physical Review B. - 2001. - V.64. - P. 014105 - 1-6
101 R. Visocekas Tunnelling radiative recombination in labradorite: its association with anomalous fading of thermoluminescence / R. Visocekas // Nuclear Tracks. - 1985. - V. 10. - P. 521-529
102 Weinstein I.A. Spectral and kinetic features of thermoluminescence in hexago¬nal boron nitride powder after UV-irradiation / Weinstein I.A. , Vokhmintsev A.S., Minin M.G., Kartashov V.V., Chernetsky I.V. // Radiation Measurements. - 2013. - V. 56. - P 236-239
103 Museur L. Defect-related photoluminescence of hexagonal boron nitride / Museur L., Feldbach E., Kanaev A. // Physical Review B. - 2008. - V. 78. - P. 155204 - 1-8
104 Zhang X. Spectral properties and luminescence mechanism of red emitting BCNO phosphors [Текст] / Zhang X., Jia X., Liu H., Lu Z., Ma X., Meng F., Zhao J., Tang C. // RSC Advances. - 2015. - V. 51. - P. 40864-40871
105 V. Korsaks Low-temperature 450 nm luminescence of hexagonal boron nitride / V. Korsaks, B. Berzina, L. Trinklere // Latvian Journal of Physics and Technical Sci-ences. - 2011. - № 1. - P 55-61
106 C.A. Taylor Observation of near-bandgap luminescence from boron nitride films /
C. A. Taylor [et al.] // Applied Physics Letters. - 1994. - V 65. - № 10. - P 1251-1253
107 А.С. Вохминцев Термолюминесценция в полосе 2.4 эВ облученных анионо-дефектных монокристаллов оксида алюминия [Текст] / дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Вохминцев Александр Сергеевич. - Екатеринбург, 2010. - 147 с.
108 Вайнштейн И.А. Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 эВ в монокристаллах -Al2O3/ Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С., Кортов В.С. // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т.32. - В. 2. - С. 21-27
109 I.A. Weinstein Spectral and kinetic features of thermoluminescence in hexago¬nal boron nitride powder after UV-irradiation / I.A. Weinstein [et al.] // Radiation Measurements. - 2013. - V.56. - P. 236-239
110 Хинайш А.М.А. Тушение фотолюминесценции в микропорошке h-BN при температурах выше комнатной / Хинайш А.М.А., Спиридонов Д.М., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Научно-технический Вестник Поволжья. - 2015. - В. 3. - С. 67-70
111 Henaish A.M.A. Two-level quenching of photoluminescence in hexagonal bo¬ron nitride micropowder / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // AIP Conference Proceedings. - 2016. - V. 1717. - P. 040030 - 1-5
112 Henaish A.M.A. Effect of air annealing on TL properties in irradiated hexagonal boron nitride powders / Minin M.G., Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Henaish A.M.A., Kartashov V.V., Chernetsky I.V. // 17th International Conference on Solid State Dosimetry. (Recife, Brazil). - 2013. - P. 53
113 Henaish A.M.A. Спектрально-разрешенная термолюминесценция микропорошков h-BN, синтезированных плазмохимическим методом / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А., Чукин А.В., Карташов В.В. // Первая Международная молодежная научная конференция, посвященная 65-летию Физико-технологического института. (Екатеринбург: УрФУ). - 2014. - С. 83
114 Henaish A.M.A. Закономерности температурного тушения фотолюминесценции гексагонального нитрида бора / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // XV Всероссийская школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества СПФКС-15. (Екатеринбург: ИФМ УрО РАН). - 2014. - С. 213
115 Henaish A.M.A. Температурное тушение фотолюминесценции 3.5-3.6 эВ гексагонального нитрида бора / Henaish A.M.A., Вохминцев А.С., Вайнштейн И.А. // Проблемы спектроскопии и спектрометрии. - 2015. - В. 34. - С. 154-158
116 Henaish A.M.A. Specific features of photoluminescence thermal quenching in hexagonal boron nitride mircopowder / Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Wein-stein I.A., Chukin A.V., Kartashov V.V. // Тезисы докладов II Международной молодежной научной конференции «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2015). (Екатеринбург: УрФУ). - 2015. - С. 42-43
117 Henaish A.M.A. Thermoluminescence response of h-BN micropowders synthe-sized by different techniques / Minin M.G., Henaish A.M.A., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A., Kartashov V.V. // Book of abstracts The Fifth International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical (Gdansk, Poland). - 2015. - P. 115
118 Henaish A.M.A. Thermoluminescence features of nanosized h-BN after UV ir-radiation / Henaish A.M.A., Spiridonov D.M., Vokhmintsev A.S., Weinstein I.A. // Book of abstract 11th International Conference on Nuclear Sciences and Applications (ESNSA-11) (Hurgada, Egypt). - 2016. - P. 49
119 Хинайш А.М.А. Процессы температурного тушения фотолюминесценции в нанопорошке h-BN / Хинайш А.М.А., Вохминцев А.С., Спиридонов Д.М., Вайнштейн И.А. // Тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции «Физика. Технологии. Инновации» (ФТИ-2016). (Екатеринбург: УрФУ). - 2016. - С. 245


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.



Подобные работы


©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ