📄Работа №100265

Тема: СПОСОБЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЁЖНОСТИ СОВРЕМЕННЫХ ДИНАМИЧЕСКИХ МИКРОСХЕМ ПАМЯТИ

📝
Тип работы Дипломные работы, ВКР
📚
Предмет информационные системы
📄
Объем: 46 листов
📅
Год: 2016
👁️
Просмотров: 108
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
ℹ️ Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.

📋 Содержание

1. Особенности топологии и структуры современных динамических ОЗУ 6
1.1 Структура запоминающего элемента 6
1.2 Чтение динамической памяти 7
1.3 Усилители-регенераторы 10
1.4 Внешняя организация памяти 12
1.5 Схема динамического ОЗУ 15
2. Влияние факторов внешней среды на надёжность ИС ОЗУ 20
3. Контроль и исправление ошибок в оперативной памяти 24
3.1 Контроль технического состояния информационных систем 24
3.2 Цели и задачи контроля 24
3.3 Схема контроля ошибок 25
3.4 Контроль по модулю 2 27
3.5 Контроль с применением кодов Хэмминга 28
3.6 Задачи тестирования и функционального контроля памяти 32
3.7 Тесты для микросхем памяти 33
4. Модель динамической памяти в 81ти1шк 36
4.1 Описание модели памяти 36
4.2 Описание модели генератора ошибок 39
4.3 Описание управляющих сигналов модели 40
4.4 Схема для проведения эксперимента 41
4.5 Результаты моделирования 43
Заключение 44
Список использованной литературы 45

📖 Введение

Реферат
В состав данной работы входит Рис. 20, Табл. 1, Библиогр. 12.
Ключевые слова: Оперативное запоминающее устройство, динамическая структура, надежность, радиационный фон, обнаружение ошибок, исправление одиночных ошибок, помехозащищенное кодирование, тестирование памяти, количественные показатели, моделирование, Matlab/Simulink, настройка блоков.
Целью выпускной квалификационной работы является изучение влияния внешних факторов на надежность хранения данных в микросхемах динамической оперативной памяти, а также разработка модели оперативного динамического запоминающего устройства, на которой будет возможным проводить моделирование испытаний и тестирования микросхем памяти.
Результатом исследования является построение модели ячейки динамической памяти (на базе программного комплекса Matlab/Simulink) на фоне влияния естественного радиационного излученияи и исследования влияния помехоустойчивого кодирования на надежность хранения информации.
Новизна работы состоит в том, что впервые в среде визуального моделирования МЛТБЛБ/81ши1шк построена модель ячейки динамической памяти.
Основой современных оперативных запоминающих устройств являются динамические микросхемы памяти. Быстродействие и надёжная работа вычислительной системы в значительной степени зависит от характеристик оперативной памяти. Особенно остро стоит вопрос помехозащищённости и надежности хранения данных в памяти при воздействии космических излучений.
Целью работы является изучение влияния внешних факторов на надежность хранения информации в микросхемах динамической внешней памяти (ДОЗУ), исследование способов контроля и защиты информации в ДОЗУ, а также разработка модели защищенной кодом Хемминга ячейки динамической памяти, испытывающей влияние естественного радиационного фона (альфа-частиц). Для достижения поставленной цели требуется:
• изучить топологию и структуры современных микросхем ДОЗУ;
• провести анализ факторов внешней среды, влияющих на надежность хранения информации в ДОЗУ;
• исследовать способы контроля и исправления ошибок в оперативной памяти;
• построить (на базе программного комплекса Matlab/Simulink) модель ячейки динамической памяти на фоне влияния естественного радиационного излученияи исследовать влияния помехоустойчивого кодирования на надежность хранения информации.
Практической значимостью работы является построение модели динамической ячейки ОЗУ средствами визуального моделирования Matlab/Simulink и исследование влияния помехозащищенного кодирования (используются коды Хемминга) на надежность хранения информации в условиях естественного радиационного фона.

Возникли сложности?

Нужна качественная помощь преподавателя?

👨‍🎓 Помощь в написании

✅ Заключение

В выпускной квалификационной работе получены следующие результаты:
1. Изучено влияние внешней среды на надежность ДОЗУ
2. Проанализированы способы контроля и исправления ошибок в оперативной памяти;
3. На базе программного комплекса Ма11аЬ/81шн11пк впервые построена модель ячейки динамической памяти на фоне влияния естественного радиационного излучения и исследовано влияние помехоустойчивого кодирования на надежность хранения информации.
Предлагаемая модель динамической памяти может быть использована для моделирования работы тестов и избыточного кодирования как методов защиты от одиночных ошибок, вызываемых пролётом альфа-частиц и тяжёлых ионов через массив запоминающих элементов. Имитацию облучения предполагается сделать в виде многоразрядного генератора ошибок.

Нужна своя уникальная работа?
Срочная разработка под ваши требования
Рассчитать стоимость
ИЛИ

📕 Список литературы

1. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника: учеб. пособие для вузов. — 3-е изд., перераб. и доп. — СПб.: БХВ-Петербург, 2010. — 816 с.
2. Касперски К. Техника оптимизации программ. Эффективное использование памяти. — СПб.: БХВ-Петербург, 2003. — 464 с.
3. Зебрев Г.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции. [Электронный ресурс] // НИЯУ МИФИ, 2010.
URL:http://www.researchgate.net/profile/Gennady Zebrev/publication/2682 77455 Radiation Effects in Silicon High Scaled Integrated Circuits in Russian/links/54673c7d0cf2397f782be5e6.pdf
4. Огнев И.В., Сарычев К.Ф. Надёжность запоминающих устройств. — М.: Радио и связь, 1988. — 224 с.
5. Юдинцев В. Радиационно стойкие интегральные схемы. // Электроника НТБ [Электронный ресурс]. - Электрон. журн. - 2007. - No 5. - URL:http://www.electronics.ru/files/article pdf/0/article 592 363.pdf
6. Spec Sheet DRAM DDR3 SODIMM // Samsung Electronics Corp. 2011. URL:http://originus.samsung.com/us/system/consumer/product/mv/3t/4g/mv 3t4g4usZSpec_Sheet_DRAM_DDR3_SODIMM_Fmal.pdf
7. DDR3 SDRAM JESD79-3C (Revision of Jesd79-3B, April 2008) // JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION. Nov.2008. URL: http://mermaja.act.uj i.es/docencia/ is37/data/DDR3.pdf
8. SIEMENS HYB 3164(5)800AJ/AT(L) 8Mx8-DRAM Datasheet// Semiconductor Group. 2009.
URL:http://pdf.dzsc.com/20090603/200903051124143712.pdf
9. Чаусов М.В., Смирнов С.С., Чаусова С.М. Учебная модель функционирования статического оперативного запоминающего устройства [Электроннный ресурс] // «Современные наукоемкие технологии. Региональное приложение» N2 (22) ИГХТУ 2010. URL:https://www.isuct.ru/e-publ/snt/sites/ru.e- publ .snt/files/2010/02/snt 2010 n02 66.pdf
10.Орлов С.А., Цилькер Б.Я. Организация ЭВМ и систем: Учебник для вузов. 2-е изд. — СПб.:Питер,2011. — 688 с.
11. Шегал А.А. Надежность инфориационных систем: конспект лекций. — Екатеринбург:ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2006. — 104 с.
12. Дьяконов В.П. MATLAB R2007/2008/2009 для радиоинженеров. — М.:ДМК Пресс,2010. — 976 с.

🖼 Скриншоты

🛒 Оформить заказ

Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.

©2026 Cервис помощи студентам в выполнении работ